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    DS90CF384MTD 参数 Datasheet PDF下载

    DS90CF384MTD图片预览
    型号： DS90CF384MTD
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： + 3.3V可编程LVDS发射器24位平板显示器（ FPD ）链路65兆赫， + 3.3V LVDS接收器24位平板显示器（ FPD ）链路65兆赫 [+3.3V Programmable LVDS Transmitter 24-Bit Flat Panel Display (FPD) Link-65 MHz, +3.3V LVDS Receiver 24-Bit Flat Panel Display (FPD) Link-65 MHz]
    分类和应用： 线路驱动器或接收器显示器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 20 页 / 368 K
    品牌： NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DS90CF384MTD的Datasheet PDF文件第9页  
    DS90C383/DS90CF384
    绝对最大额定值
    （注1 ）
    如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
    请向美国国家半导体销售办事处/
    经销商咨询具体可用性和规格。
    电源电压（V
    CC
    )
    -0.3V至+ 4V
    CMOS / TTL输入电压
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    CMOS / TTL输出电压
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    LVDS接收器输入电压
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    LVDS驱动器输出电压
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    LVDS输出短路
    长短
    连续
    结温
    +150˚C
    储存温度
    -65 ° C至+ 150°C
    焊接温度
    （焊接， 4秒， TSSOP ）
    +260˚C
    焊锡溢流温度
    （ 20秒为FBGA ）
    +220˚C
    最大封装功耗容量25℃
    MTD56 （ TSSOP ）封装：
    DS90C383MTD
    1.63 W
    DS90CF384MTD
    1.61 W
    套餐降额：
    DS90C383MTD
    12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
    DS90CF384MTD
    12.4毫瓦/ C以上
    最大封装功耗容量25℃
    SLC64A套餐：
    DS90C383SLC
    DS90CF384SLC
    套餐降额：
    DS90C383SLC
    10.2毫瓦/ C以上
    DS90CF384SLC
    10.2毫瓦/ C以上
    ESD额定值
    （ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
    +25˚C
    2.0 W
    2.0 W
    +25˚C
    +25˚C
    ＆ GT ;
    7千伏
    推荐工作
    条件
    电源电压（V
    CC
    )
    经营自由的空气
    温度（T
    A
    )
    接收器输入范围
    电源噪声电压（V
    CC
    )
    民
    3.0
    −40
    0
    喃
    3.3
    +25
    最大
    3.6
    +85
    2.4
    100
    单位
    V
    ˚C
    V
    mV
    PP
    电气特性
    在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    V
    OL
    V
    CL
    I
    IN
    I
    OS
    V
    OD
    ∆V
    OD
    V
    OS
    ∆V
    OS
    I
    OS
    I
    OZ
    V
    TH
    V
    TL
    I
    IN
    参数
    高电平输入电压
    低电平输入电压
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    输入钳位电压
    输入电流
    输出短路电流
    差分输出电压
    改变V
    OD
    间
    免费提供输出国家
    失调电压（注4 ）
    改变V
    OS
    间
    免费提供输出国家
    输出短路电流
    输出三态
    ®
    当前
    差分输入高阈值
    差分输入阈值低
    输入电流
    V
    IN
    = +2.4V, V
    CC
    = 3.6V
    V
    IN
    = 0V, V
    CC
    = 3.6V
    变送器供电电流
    ICCTW
    变送器供电电流
    最坏的情况下
    R
    L
    = 100Ω,
    C
    L
    = 5 pF的，
    最坏的情况下格局
    F = 32.5兆赫
    F = 37.5兆赫
    31
    32
    45
    50
    mA
    mA
    V
    OUT
    = 0V ，R
    L
    = 100Ω
    电源关闭= 0V ，
    V
    OUT
    = 0V或V
    CC
    V
    CM
    = +1.2V
    −100
    +100
    mV
    mV
    µA
    µA
    −3.5
    −5
    mA
    µA
    1.125
    1.25
    1.375
    35
    V
    mV
    I
    OH
    = -0.4毫安
    I
    OL
    = 2毫安
    I
    CL
    = -18毫安
    V
    IN
    = V
    CC
    ，GND， 2.5V或0.4V
    V
    OUT
    = 0V
    R
    L
    = 100Ω
    250
    条件
    民
    2.0
    GND
    2.7
    3.3
    0.06
    −0.79
    0.3
    −1.5
    典型值
    最大
    V
    CC
    0.8
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    mA
    mV
    mV
    LVCMOS / LVTTL DC规格
    ±
    5.1
    −60
    345
    ±
    10
    −120
    450
    35
    LVDS DC规格
    ±
    1
    ±
    10
    ±
    10
    ±
    10
    3
    www.national.com

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