DS90C401
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
输入电压（D
IN
)
输出电压（D
OUT +
, D
OUT-
)
短路持续时间
(D
OUT +
, D
OUT-
)
男包
减免男包
存储温度范围
铅温度范围
焊接（ 4秒）
-0.3V至+ 6V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
连续
1068毫瓦
8.5毫瓦/ C以上+ 25℃
-65 ° C至+ 150°C
+260˚C
最大结
温度
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0
Ω,
200 pF的）
+150˚C
≥
3,500V
≥
250V
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
−40
+25
+85
˚C
+4.5
典型值
+5.0
最大
+5.5
单位
V
最大封装功耗
@
+25˚C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2,3）
符号
V
OD1
∆V
OD1
V
OS
∆V
OS
V
OH
V
OL
I
OS
V
IH
V
IL
I
I
V
CL
I
CC
I
CCL
参数
差分输出电压
变化的V震级
OD1
为
互补输出国家
失调电压
变化的V震级
OS
为
互补输出国家
输出电压高
输出电压低
输出短路电流
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入钳位电压
无负载电源电流
加载电源电流
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
I
CL
= -18毫安
D
IN
= V
CC
或GND
D
IN
= 2.5V或0.4V
R
L
= 100Ω所有通道
V
IN
= V
CC
或GND （所有输入）
V
CC
V
OUT
= 0V （注8 ）
D
IN
2.0
GND
−10
−1.5
R
L
= 100Ω
0.90
条件
R
L
= 100Ω （图
针
D
OUT-
,
D
OUT +
民
250
典型值
340
4
1.125
1.25
5
1.41
1.07
−3.5
−5.0
V
CC
0.8
最大
450
35
1.375
25
1.60
单位
mV
|毫伏|
V
|毫伏|
V
V
mA
V
V
µA
V
3.0
5.5
14.0
mA
mA
mA
±
1
−0.8
1.7
3.5
8
+10
开关特性
V
CC
= +5.0V
±
10%, T
A
= -40℃至+ 85℃（注3，4， 5，6， 9）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
TLH
t
THL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
– t
PLHD
|
通道至通道偏移（注4 ）
芯片到芯片歪斜（注5 ）
上升时间
下降时间
0.35
0.35
条件
R
L
= 100Ω, C
L
= 5 pF的
和
民
0.5
0.5
0
0
典型值
2.0
2.1
80
0.3
最大
3.5
3.5
900
1.0
3.0
2.0
2.0
单位
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
