绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 6V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
输入电压（D
IN
)
使能输入电压（ EN ， EN * ）
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
输出电压（D
OUT +
, D
OUT-
)
短路持续时间
连续
(D
OUT +
, D
OUT-
)
最大封装功耗
@
+25˚C
男包
1068毫瓦
E封装
1900毫瓦
减免男包
8.5毫瓦/ C以上+ 25℃
减额E封装
12.8毫瓦/ C以上+ 25℃
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
铅温度范围
焊接（ 4秒）
+260˚C
最高结温
(DS90C031T)
最高结温
(DS90C031E)
ESD额定值（注7 ）
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0
Ω,
200 pF的）
+150˚C
+175˚C
≥
3,500V
≥
250V
推荐工作
条件
电源电压
免费运营
DS90C031T
DS90C031E
民
+4.5
(V
CC
)
空气温度（T
A
)
−40
−55
典型值
+5.0
+25
+25
最大
+5.5
+85
+125
单位
V
˚C
˚C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2,3）
符号
V
OD1
∆V
OD1
参数
差分输出电压
变化的V震级
OD1
对于互补输出
国
失调电压
变化的V震级
OS
为
互补输出国家
输出电压高
输出电压低
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入钳位电压
输出短路电流
输出三态电流
无负载电源电流
驱动器被启用
加载电源电流
驱动器被启用
无负载电源电流
驱动器被禁止
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
I
CL
= -18毫安
V
OUT
= 0V （注8 ）
EN = 0.8V和EN * = 2.0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
D
IN
= V
CC
或GND
D
IN
= 2.5V或0.4V
R
L
= 100Ω所有通道
V
IN
= V
CC
或GND
（所有输入）
D
IN
= V
CC
或GND
EN = GND ， EN * = V
CC
DS90C031T
DS90C031E
DS90C031T
DS90C031E
DS90C031T
D
OUT-
,
D
OUT +
V
CC
D
IN
,
EN ，
EN *
R
L
= 100Ω
0.90
2.0
GND
−10
−1.5
−10
条件
R
L
= 100Ω （图
1)
针
D
OUT-
,
D
OUT +
民
250
典型值
345
4
最大
450
35
单位
mV
|毫伏|
V
OS
∆V
OS
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
I
V
CL
I
OS
I
OZ
I
CC
I
CCL
1.125
1.25
5
1.41
1.07
1.375
25
1.60
V
CC
0.8
V
|毫伏|
V
V
V
V
µA
V
mA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
±
1
−0.8
−3.5
+10
−5.0
+10
3.0
6.5
21.0
25.0
4.0
10.0
±
1
1.7
4.0
15.4
15.4
2.2
2.2
I
CCZ
开关特性
V
CC
= + 5.0V ，T
A
= + 25°C DS90C031T 。 （注3 ，第4 ，第6 ，第9 ）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
– t
PLHD
|
通道至通道偏移（注4 ）
条件
R
L
= 100Ω, C
L
= 5 pF的
（图
2
和
图3）
民
1.0
1.0
0
0
典型值
2.0
2.1
80
300
最大
3.0
3.0
400
600
单位
ns
ns
ps
ps
3
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
