DS90C031B
开关特性
V
CC
= + 5.0V ，T
A
= + 25°C （注3 ， 6 ， 9 ）
符号
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
参数
（续）
条件
民
典型值
0.35
0.35
R
L
= 100Ω, C
L
= 5 pF的
4
和
2.5
2.5
2.5
2.5
最大
1.5
1.5
10
10
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
V
CC
= +5.0V
±
10%, T
A
= -40°C至+ 85℃（注3 ， 6 ， 9 ）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
– t
PLHD
|
通道至通道偏移（注4 ）
芯片到芯片歪斜（注5 ）
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 100Ω, C
L
= 5 pF的
4
和
0.35
0.35
2.5
2.5
2.5
2.5
条件
R
L
= 100Ω, C
L
= 5 pF的
2
和
民
0.5
0.5
0
0
典型值
2.0
2.1
80
0.3
最大
3.5
3.5
900
1.0
3.0
2.0
2.0
15
15
15
15
单位
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考，除非： V
OD1
和
∆V
OD1
.
注3 ：
所有标准被定为： V
CC
= + 5.0V ，T
A
= +25˚C.
注4 ：
通道至通道偏移被定义为信道的传播延迟和在相同芯片中的其它通道与事件之间的差
上的输入。
注5 ：
芯片到芯片的偏斜定义为最小和最大规定差分传播延迟之间的差异。
注6 ：
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50Ω, t
r
≤
6纳秒，而t
f
≤
6纳秒。
注7 ：
ESD额定值：
HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
2kV
EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥
250V
注8 ：
输出短路电流（I
OS
）被指定为大小只，减号仅指示方向。
注9 ：
C
L
包括探头和夹具电容。
参数测量信息
10098903
图1.驱动器V
OD
和V
OS
测试电路
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
