绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
V
CC
V
EE
最大功率耗散（注1 ） ，在25℃
腔体套餐
模压DIP封装
SO封装
输入电压
输出电压（断电）
储存温度
−65˚C
焊接温度
（焊接， 4秒）
7V
−7V
1509毫瓦
1476毫瓦
1051毫瓦
15V
±
15V
至+ 150°C
260˚C
工作条件
民
电源电压
DS1691A
V
CC
V
EE
DS3691
V
CC
V
EE
温度（T
A
)
DS1691A
DS3691
最大
单位
4.5
−4.5
4.75
−4.75
−55
0
5.5
−5.5
5.25
−5.25
+125
+70
V
V
V
V
˚C
˚C
注1 ：
减免腔封装10.1毫瓦/ C 25℃以上;减免成型DIP
包11.9毫瓦/ C 25℃以上。减额SO封装， 8.41毫瓦/ C以上
25˚C.
DC电气特性
（注3，4 ，5，6 ）
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
I
V
O
V
O
V
T
V
T
V
OS
, V
OS
|V
T
| − | V
T
|
|V
OS
| − | V
OS
|
V
SS
V
CMR
I
XA
I
XB
I
OX
I
SA
I
SB
I
CC
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
输入钳位电压
差分输出电压
V
A，B
差分输出电压
V
A，B
共模失调
电压
差差
输出电压
差异共
模式偏置电压
|V
T
− V
T
|
输出电压共
模范围
输出漏电流
电源关闭
三态输出电流
输出短路电流
输出短路电流
电源电流
V
CC
=最大
V
EE
= 0V和-5V
V
IN
= 0.4V
V
IN
= 2.4V
V
CC
= 0V
V
CMR
= 10V
V
CMR
= −10V
V
CMR
≤
10V
V
CMR
≥
−10V
V
OA
= 6V
V
OB
= 0V
V
OA
= 0V
V
OB
= 6V
80
−80
−80
80
18
100
−100
100
−100
150
−150
−150
150
30
µA
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
= 100Ω, V
CC
≥
4.75V
V
关闭
= 2.4V
R
L
条件
民
2
典型值
最大
单位
V
RS - 422接口，V
EE
接地连接，模式选择
≤
0.8V
0.8
V
IN
= 2.4V
V
IN
≤
15V
V
IN
= 0.4V
IN
= -12毫安
R
L
=
∞
V
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
1
10
−30
V
IN
= 2V
V
IN
= 0.8V
V
IN
= 2V
V
IN
= 0.8V
3.6
−3.6
2
−2
2.4
−2.4
2.5
0.05
0.05
4.0
4.8
40
100
−200
−1.5
6.0
−6.0
I
R
L
= 100Ω
V
CC
≥
4.75V
R
L
= 100Ω
R
L
= 100Ω
R
L
= 100Ω
3
0.4
0.4
V
V
V
V
V
±
10
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
