绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压，V
CC
8V
输入共模电压，
±
25V
V
ICM
±
25V
输入差分电压，V
ID
三态控制输入
8V
电压，V
I
50毫安
输出灌电流，I
O
-65 ° C至+ 150°C
贮藏温度，T
英镑
最大功率耗散（注1 ） ，在25℃
模压DIP封装
SO封装
1362毫瓦
1002毫瓦
工作条件
电源电压，V
CC
工作温度，T
A
输入共模电压
范围内，V
ICR
最大
4.75
0
−7.0
民
5.25
70
7.0
单位
V
˚C
V
注1 ：
减免浸渍模塑封装10.2毫瓦/ C 25℃以上。减免SO
包8.01毫瓦/ C 25℃以上。
电气特性
（注3）
（除非另有说明，最小和最大限制在推荐的温度和电源电压
范围。典型的值是对于T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V和V
IC
= 0V.)
符号
V
IH
V
IL
V
日（ D）
参数
输入电压 - 高逻辑状态
（三态控制）
输入电压 - 低逻辑状态
（三态控制）
差分输入阈值电压
−7V
≤
V
IC
≤
7V, V
IH
TRI- STATE = 2V
I
O
= -0.4毫安，V
OH
≥
2.7V
I
O
= 8毫安， V
OL
≥
0.5V
V
CC
= 0V至5.25V ，在0V其它输入
V
I
= −10V
V
I
= −3V
V
I
= 3V
V
I
= 10V
输入平衡
V
OH
V
OL
I
OZ
I
OS
I
IL
I
IH
V
IC
I
CC
输出三态泄漏电流
输出短路电流
输入电流 - 逻辑低状态
（三态控制）
输入电流 - 高逻辑状态
（三态控制）
输入钳位二极管电压
（三态控制）
电源电流
所有输入V
IL
= 0V
85
mA
注2 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供了实际设备运行状况。
注3 ：
所有电流为器件引脚均显示为阳性，走出器件引脚为负。所有的电压时，对地，除非另有说明。
注4 ：
只有一个输出在时间应短。
注5 ：
请参考EIA RS-422/ 3确切条件。
条件
民
2.0
典型值
最大
单位
V
0.8
0.070
0.070
0.2
−0.2
−3.25
−1.50
1.50
3.25
V
V
V
mA
mA
mA
mA
I
IB （ D）
输入偏置电流
−7V
≤
V
IC
≤
7V, V
IH(3C)
= 2V,
（注5 ）
I
O
= -0.4毫安，V
ID
= 0.4V
I
O
= 8毫安， V
ID
= −0.4V
V
我（D ）
= 3V, V
IL
= 0.8V, V
OL
= 0.5V
V
我（D ）
= −3V, V
IL
= 0.8V, V
OH
= 2.7V
V
我（D ）
= 3V, V
IH
TRI- STATE = 2V ，
V
O
= 0V ， （注4 ）
V
IL
= 0.5V
V
IH
= 2.7V
V
IH
= 5.25V
I
IN
= -10毫安
2.7
0.5
−40
40
−15
−100
−100
20
100
−1.5
V
V
µA
µA
mA
µA
µA
µA
V
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
