绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
存储温度范围
陶瓷DIP
模压DIP
工作温度范围
DS2003M DS9667M
DS2004M
DS2003T DS9667T
DS2004T
DS2003C DS9667C
DS2004C
b
65℃，以
a
175 C
b
65℃，以
a
150 C
b
55 ℃〜
b
55 ℃〜
b
40℃
b
40℃
a
125 C
a
125 C
a
105 C
a
105 C
焊接温度
陶瓷DIP （焊接60秒）
DIP成型（焊接10秒）
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压封装
S 0包
300 C
265 C
2016年毫瓦
1838毫瓦
926毫瓦
减免腔封装16 13毫瓦C以上25°C减免成型DIP封装
14岁7毫瓦C以上25 C减免SO封装， 7 4毫瓦ç
0 ℃〜
a
85 C
0 ℃〜
a
85 C
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
民
典型值
30V
55V
6 0V
500毫安
25毫安
最大
20
100
500
1 25
11
09
16
13
11
1 35
05
1 45
mA
24
27
30
V
mA
V
mA
单位
电气特性
T
A
e
25 C
符号
I
CEX
参数
输出漏
当前
除非另有规定ED （注2 ）
条件
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V
（图1a）
T
A
e
85 C V
CE
e
50V
（图1a）
对于商业级
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V V
I
e
1 0V
（图1b）
DS2004
I
C
e
350毫安我
B
e
500
mA
（图2）
（注3）
I
C
e
200毫安我
B
e
350
mA
（图2）
I
C
e
百毫安我
B
e
250
mA
（图2）
V
I
e
3 85V
（图3）
V
I
e
5 0V
（图3）
V
I
e
12V
（图3）
DS2003 DS9667
DS2004
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
我（上）
输入电流
0 93
0 35
10
50
100
I
我（关闭）
V
我（上）
输入电流
（注4 ）
输入电压
（注5 ）
T
A
e
85℃商业
I
C
e
500
mA
（图4）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
250毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
300毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
125毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
275毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
350毫安
（图5）
DS2004
DS2003 DS9667
50
60
70
80
15
30
10
10
pF
ms
ms
mA
mA
V
C
I
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
0 5 V
I
0至5 V
O
0 5 V
I
0至5 V
O
V
R
e
50V
（图6）
I
F
e
350毫安
（图7）
T
A
e
25 C
T
A
e
85 C
50
100
17
20
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性'的表格提供了器件的实际工作条件
注2
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型除外
注3
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
e
1 6V在70℃下为20毫秒的脉冲宽度和占空比
30%
注4
在我
我（关闭）
电流限制保证对部分点灯的输出
注5
在V
我（上）
电压限制，保证每个规定的试验条件下的最小输出灌电流
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2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
