绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
V
+
V
−
输入电压（V
IN
)
输出电压
+15V
−15V
−15V
≤
V
IN
≤
7.0V
±
15V
工作温度范围
0 ° C至+ 75°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
最大功率耗散（注1 ） ，在25℃
模压DIP封装
1280毫瓦
SO封装
974毫瓦
引线温度（焊接， 4
秒）。
260˚C
注1 ：
减免成型DIP封装10.2毫瓦/ C 25℃以上;减免SO
包7.8毫瓦/ C 25℃以上。
电气特性
（注3,4）
V
CC
+ = 9V, V
CC
- = -9V ，除非另有说明
符号
I
IL
I
IH
V
OH
V
OL
I
OS
+
I
OS
−
R
OUT
I
CC
+
参数
逻辑“0”输入电流
逻辑“1”的输入电流
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输出
短路电流
低电平输出
短路电流
输出电阻
正电源电流
（输出开路）
V
+
= V
−
= 0V, V
OUT
=
±
2V
V
IN
= 1.9V
V
+
= 9.0V, V
−
= −9.0V
V
+
= 12V, V
−
= −12V
V
IN
= 0.8V
V = 15V, V = −15V
V
+
= 9.0V, V
−
= −9.0V
V
+
= 12V, V
−
= −12V
V
+
= 15V, V
−
= −15V
V
+
= 9.0V, V
−
= −9.0V
V
+
= 12V, V
−
= −12V
V = 15V, V
−
= −15V
V
+
= 9.0V, V
−
= −9.0V
V = 12V, V = −12V
V
+
= 15V, V
−
= −15V
P
d
功耗
V = 9.0V, V = −9.0V
V
+
= 12V, V
−
= −12V
+
−
+
−
+
+
−
条件
V
IN
= 0V
V
IN
= +5.0V
R
L
= 3.0 kΩ,
V
IN
= 0.8V
R
L
= 3.0 kΩ,
民
典型值
−0.8
0.005
最大
−1.3
10.0
单位
mA
µA
V
V
V
V
V = 9.0V, V = −9.0V
V
+
= 13.2V, V
−
= −13.2V
V
+
= 9.0V, V
−
= −9.0V
+
−
+
−
6.0
9.0
−6.0
−9.0
−6.0
6.0
300
7.1
10.7
7.0
−10.6
−10.0
10.0
−12.0
12.0
V
IN
= 1.9V
V = 13.2V, V = −13.2V
V
OUT
= 0V, V
IN
= 0.8V
V
OUT
= 0V, V
IN
= 1.9V
mA
mA
Ω
11.6
15.7
19.4
3.4
4.1
9.1
−10.8
−14.6
−18.3
−0.001
−0.001
−0.01
252
444
20.0
25.0
34.0
6.0
7.0
12.0
−17.0
−23.0
−34.0
−0.100
−0.100
−2.5
333
576
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mW
mW
I
CC
−
负电源电流
（输出开路）
V
IN
= 1.9V
V
IN
= 0.8V
开关特性
(V
CC
= 9V, V
EE
= -9V ，T
A
= 25˚C)
符号
t
pd1
t
pd0
t
r
t
f
参数
传播延迟到一个逻辑“1”的
传播延迟到一个逻辑“0”的
上升时间
下降时间
条件
R
L
= 3.0 kΩ的，C
L
= 15 pF的，
R
L
= 3.0 kΩ的，C
L
= 15 pF的，
R
L
= 3.0 kΩ的，C
L
= 15 pF的，
R
L
= 3.0 kΩ的，C
L
= 15 pF的，
民
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
典型值
187
45
63
33
最大
350
175
100
75
单位
ns
ns
ns
ns
注2 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。除了“工作温度范围”他们
不意味着暗示该设备应在这些限制下工作。的“电气特性”表中提供了实际设备的运行状况。
注3 ：
除非另有说明，最小/最大极限穿越0°C至+ 75°C温度范围内申请DS1488 。
注4 ：
所有电流到器件引脚示为阳性，总分器件管脚为否定时，所有的电压参考接地除非另有注明。显示所有值
为最大或最小的绝对值基础。
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2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
