LM78LXX系列
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
功率耗散（注5 ）
输入电压
储存温度
内部限制
35V
-65 ° C至+ 150°C
工作结温
SO-8
微型SMD
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
ESD易感性（注2 ）
0 ° C至125°C
-40 ° C至85°C
235˚C
260˚C （交货期）
1kV
LM78LXX电气特性
在标准字体限为T
J
= 25˚C,
粗体字AP-
层数在0°C至125°C的SO- 8封装， -40℃至85℃的micro SMD封装。
限制由生产保障
化试验或使用标准的统计质量控制（ SQC）方法的相关技术。除另有规定外：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33 μF ，C
O
= 0.1 µF.
LM78L05
除非另有规定ED ，V
IN
= 10V
符号
V
O
输出电压
7V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
∆V
O
∆V
O
I
Q
∆I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
θ
JA
输入电压的最小值
必须保持线路调整
热阻
（ 8焊球micro SMD ）
I
O
= 5毫安
8V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
（注4 ）
F = 120赫兹
8V
≤
V
IN
≤
16V
7V
≤
V
IN
≤
20V
8V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
参数
条件
民
4.8
4.75
典型值
5
最大
5.2
5.25
单位
V
4.75
18
10
20
5
3
5.25
75
54
60
30
5
1.0
0.1
40
µV
dB
mA
毫伏/°C的
7
V
° C / W
mA
mV
47
62
140
−0.65
6.7
230.9
LM78L62AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 12V
符号
V
O
输出电压
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
∆V
O
∆V
O
线路调整
负载调整率
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
9V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
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2
参数
条件
民
5.95
5.9
典型值
6.2
最大
6.45
6.5
单位
V
5.9
65
55
13
6
6.5
175
125
80
40
mV
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
