2N7000 2N7002 NDF7000A NDS7002A N沟道增强型场效应晶体管
1993年3月
2N7000 2N7002 NDF7000A NDS7002A
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型场效应晶体管
采用美国国家半导体的极高的单元密度的第三个生产
代DMOS技术，这些产品已
旨在最大限度地减少通态电阻提供坚固耐用
可靠的性能和快速切换它们可以是
跟在大多数应用中一个最小的努力所使用要求还
荷兰国际集团高达400毫安直流，并且可以提供脉冲电流达
2A该产品特别适合于低电压低
当前的应用程序，如小伺服电机控制
功率MOSFET栅极驱动器和其他应用程序的切换
系统蒸发散
特点
Y
Y
Y
Y
Y
高效的高密度电池设计将至
（ 300万
2
)
电压控制的小信号开关
崎岖
高饱和电流
低R
DS
（上）
TL摹11378 - 2
TL摹11378 -1
TO-92
7000系列
TO- 236 AB
(SOT-23)
7002系列
TL摹11378 - 3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
s
1 MX ）
栅源电压
漏电流连续
脉冲
P
D
总功耗
降额以上25℃
T
J
T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
施行
从案例10秒
T
A
e
25 C
200
500
400
32
115
800
200
16
2N7000
2N7002
NDF7000A
60
60
g
40
NDS7002A
单位
V
V
V
400
2000
625
5
280
1500
300
24
b
65〜 150
mA
mA
mW
毫瓦ç
C
C
b
55〜 150
300
C
1995年全国半导体公司
TL摹11378
RRD - B30M115印制在U S A
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
