功能说明
设备操作
在EPROM中的操作的六种模式中列出的TA-
竹叶提取我应该注意的是，所有的输入为六个模式是
在TTL电平所需的电源是V
CC
和
V
PP
在V
PP
电源必须在12 75V时的
三种编程模式，必须在5V ，其他
三种模式的V
CC
电源必须在6 25V能很好地协同
荷兰国际集团中的其他三个编程模式和5V
三种模式
读取模式
EPROM中有两个控制功能，而且必须
是逻辑上的活性，以获得在输出数据
芯片使能（ CE PGM ）的功率控制和应
用于器件选择输出使能（OE ）为输出
控制并且应该被用于栅极的数据到输出引脚
独立的设备选择的假设地址
是稳定的地址访问时间（t
加
）等于延迟
从CE输出（T
CE
）数据可在输出端吨
OE
OE后的下降沿假设CE具有PGM
一直偏低和地址已经稳定至少吨
加
–
t
OE
待机模式
对EPROM具有待机模式，该模式减少了活性
功耗降低了99 ％，从385毫瓦至0 55毫瓦
EPROM中被置于待机模式通过施加
CMOS高信号到CE的PGM输入待机时
模式的输出处于高阻抗状态indepen-
在OE输入的凹痕
输出禁用
该EPROM被放置在输出禁止通过施加TTL
高信号， OE输入时输出禁用所有税务局局长
关，是除了使输出处于高阻抗
ANCE状态（ TRI- STATE ）
输出或打字
由于EPROM通常在较大的内存使用AR-
射线国家提供一个2行控制功能
适应这种使用多个存储连接
2线控制功能允许对
A）尽可能低的内存功耗和
b）完成保证输出的总线争用会不会
发生
为了最有效地使用这两个控制线这是中建议
修补该CE的铂族金属被解码并作为主要的
设备选择功能，而OE提出一个共同的
连接到阵列中的所有的设备和连接到所述
READ线从系统控制总线这保证了所有
选择的存储设备在他们的低功耗待机
模式及输出引脚活性只有当数据是
从一个特定的存储设备所需的
程序设计
注意引脚1超过14V （V
PP
）会损坏
EPROM
最初，每个擦除EPROM中的所有位都在后
在' '1' ''的状态数据通过选择性编程介绍
明' '0' ''进虽然只是所需的位位置
'' 0' ''将被编程这两个' '1' ' '和'' 0' ''可以预
sented中的数据字以改变一个' 0 '到一个唯一的方式
''1 ''是由紫外光擦除
在EPROM中的编程模式时， V
PP
电源是在12和75V OE是在V
IH
它需要
至少有一个0 1
mF
电容跨接V
PP
V
CC
到地抑制杂散电压瞬变
可能会损坏设备的数据进行编程的
加到8位并行数据输出引脚的电平
所需的地址和数据输入是TTL
当地址和数据是稳定的活性较低的TTL
编程脉冲被施加到CE的PGM输入的程序
脉冲必须在每个地址单元被应用为亲
编程的EPROM编程与快亲
列于编程算法
图1
每个地址
用一系列的100编程
ms
脉冲，直到它验证
好最多为25个脉冲，大多数存储单元将
计划用一个100
ms
脉冲
在EPROM中不能使用的DC信号编程AP-
合股的CE PGM输入
编程多个EPROM平行于同
数据可能会因的简单容易地实现
节目质量要求像平行输入EP-
ROM可以连接在一起时它们亲
编程具有相同数据的低层次TTL脉冲应用
到CE PGM输入程序的EPROM并联
禁止程序
编程多个EPROM的平行不同
数据也很容易实现除CE PGM所有
像输入（包括OE ）的平行的EPROM可能
一个共同的TTL低电平脉冲程序应用到EP-
ROM的CE PGM输入与V
PP
12将75V的编程
EPROM中的TTL高电平CE PGM输入抑制其他
被编程的EPROM
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
