绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
上面这使用寿命可能被削弱
-65 ° C至+ 150°C
存储温度（T
英镑
)
最高结温（T
J
)
陶瓷的
+175˚C
端子电位为
-7.0V至+ 0.5V
接地引脚（V
EE
)
输入电压（直流）
V
EE
至+ 0.5V
输出电流
（直流输出高电平）
静电放电（注2）
-50毫安
≥
2000V
推荐工作
条件
外壳温度（T
C
)
军事
电源电压（V
EE
)
-55 ° C至+ 125°C
-5.7V至-4.2V
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该DE-
副可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下，是不是暗示。
注2 ：
ESD测试，符合MIL-STD- 883 ，方法3015 。
军用版
DC电气特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ，V
CC
= V
CCA
= GND ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C
符号
V
OH
参数
输出高电压
民
−1025
−1085
V
OL
输出低电压
−1830
−1830
V
OHC
输出高电压
−1035
−1085
V
OLC
输出低电压
−1610
−1555
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
输入高电压
输入低电压
输入低电平电流
输入高电流
−1165
−1830
0.50
300
450
I
EE
电源电流
−95
−35
−870
−1475
最大
−870
−870
−1620
−1555
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
µA
µA
µA
mA
T
C
0℃至
+125˚C
−55˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
-55℃〜
+125˚C
-55℃〜
+125˚C
-55℃〜
+125˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
-55℃〜
+125˚C
输入OPEN
（注3,4
5)
保证高信号
所有输入
保证低信号
所有输入
V
EE
= −4.2V
V
IN
= V
IL
（分钟）
V
EE
= −5.7V
V
IN
= V
IH
（最大）
（注3,4
5, 6)
（注3,4
5, 6)
（注3,4
5)
（注3,4
5)
V
IN
= V
IH
（分钟）
或V
IL
（最大）
与装
50Ω至-2.0V
（注3,4
5)
或V
IL
（分钟）
条件
V
IN
= V
IH
（最大）
与装
50Ω至-2.0V
笔记
（注3,4
5)
注3 ：
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度（以保证结温等于-55℃ ） ，然后立即进行测试
未经允许交界温度稳定，由于加热后的电耗。这提供了可被认为是最坏的情况“冷启动”的规格
条件在寒冷的气温。
注4 ：
屏幕的每个设备上，在-55℃测试了100 ％，+ 25℃和+ 125℃ ，子群，1，2 ，3，7和8 。
注5 ：
取样测试（方法5005 ，表一）各生产大量在-55℃ ， + 25℃和+ 125℃ ，群A1 ， 2 ， 3 ， 7和8 。
注6 ：
通过将指定的输入条件和测试V保证
OH
/V
OL
.
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4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
