绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
上面这使用寿命可能被削弱
存储温度（T
英镑
)
最高结温（T
J
)
陶瓷的
V
EE
端子电位接地引脚
输入电压（直流）
输出电流（ DC输出高电平）
-65 ° C至+ 150°C
+175˚C
-7.0V至+ 0.5V
V
EE
至+ 0.5V
-100毫安
静电放电（注3）
≥2000V
推荐工作
条件
外壳温度（T
C
)
军事
电源电压（V
EE
)
-55 ° C至+ 125°C
-5.7V至-4.2V
注2 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该DE-
副可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下，是不是暗示。
注3 ：
ESD测试，符合MIL-STD- 883 ，方法3015 。
军用版
DC电气特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ，V
CC
= V
CCA
= GND ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C
符号
V
OH
参数
输出高电压
民
−1025
−1085
V
OL
输出低电压
−1830
−1830
V
OHC
输出高电压
−1035
−1085
V
OLC
输出低电压
−1610
−1555
V
OLZ
截止低压
−1950
mV
−1850
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
输入高电压
输入低电压
输入低电平电流
输入高电流
−1165
−1830
0.50
240
340
I
EE
电源电流
−195
−205
−73
−73
mA
−870
−1475
mV
mV
µA
µA
µA
最大
−870
−870
−1620
−1555
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
T
C
0℃至
+125˚C
−55˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
-55℃〜
+125˚C
-55℃〜
+125˚C
-55℃〜
+125˚C
0℃至
+125˚C
−55˚C
-55℃〜
+125˚C
输入OPEN
V
EE
= -4.2V至-4.8V
V
EE
= -4.2V至-5.7V
保证高信号
所有输入
保证低信号
所有输入
V
EE
= −4.2V
V
IN
= V
IL
（分钟）
V
EE
= −5.7V
V
IN
= V
IH
（最大）
V
IN
= V
IH
（分钟）
或V
IL
（最大）
OEN = HIGH
（注4， 5 ，
6)
（注4， 5 ，
6, 7)
（注4， 5 ，
6, 7)
（注4， 5 ，
6, 7)
（注4， 5 ，
6)
（注4， 5 ，
6)
V
IN
= V
IH
（分钟）
或V
IL
（最大）
与装
25Ω至-2.0V
（注4， 5 ，
6)
V
IN
= V
IH
（最大）
或V
IL
（分钟）
与装
25Ω至-2.0V
（注4， 5 ，
6)
条件
笔记
注4 ：
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度（以保证结温等于-55℃ ） ，然后立即进行测试
未经允许交界温度稳定，由于加热后的电耗。这提供了可被认为是最坏的情况“冷启动”的规格
条件在寒冷的气温。
注5 ：
屏幕的每个设备上，在-55℃测试了100 ％，+ 25℃和+ 125℃ ，子群1，2， 3，7，和8 。
注6 ：
样品进行测试（方法5005 ，表Ⅰ）的每个生产大量在-55℃ ， + 25℃ ，和+ 125℃ ，子群A 1 ，2，3 ，7，和8 。
注7 ：
通过将指定的输入条件和测试V保证
OH
/V
OL
.
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
