军用版
AC特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ，V
CC
= V
CCA
= GND
符号
f
移
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
t
s
参数
移频
传播延迟
CP到Q
n
, Q
n
T
C
= −55˚C
民
325
0.40
1.30
1.20
0.60
2.30
2.10
0.70
1.30
0.20
2.30
3.90
4.60
2.90
5.20
4.30
3.20
4.10
1.90
最大
T
C
= +25˚C
民
325
0.50
1.70
1.50
0.80
2.70
2.20
1.00
1.50
0.20
2.20
3.80
4.60
2.80
5.20
4.10
3.20
4.20
1.80
最大
T
C
= +125˚
民
325
0.40
1.70
1.60
0.90
2.90
2.40
1.30
1.70
0.20
2.50
4.20
5.20
3.20
5.90
4.70
4.10
4.90
2.00
最大
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
笔记
（注11 ）
（注8，9， 10，12 ）
图2,3
图1,3
图1，图7，图8
图1,9
图1,4
传播延迟
CP到TC （SHIFT）
传播延迟
CP到TC （计数）
传播延迟
MR到Q
n
, Q
n
（注8，9， 10，12 ）
（注8，9， 10，12 ）
传播延迟
MR到TC （伯爵）
传播延迟
MR到TC （SHIFT）
传播延迟
D
0
/ CET到TC
传播延迟
S
n
以TC
转换时间
20％至80 ％，80％至
20%
建立时间
D
3
P
n
D
0
/ CET
CEP
S
n
MR（释放时间）
图1，图12
图1，图10，图11
（注8，9， 10，12 ）
图1,5
ns
ns
（注8，9， 10，12 ）
图1,3
（注11 ）
1.40
1.70
1.80
1.80
3.30
2.60
0.90
1.00
0.70
0.60
0.00
1.60
2.00
1.40
1.70
1.80
1.80
3.30
2.60
0.90
1.00
0.70
0.60
0.00
1.60
2.00
1.40
1.70
1.80
1.80
3.30
2.60
0.90
1.00
0.70
0.60
0.00
1.60
2.00
ns
ns
ns
图6
（注11 ）
t
h
保持时间
D
3
P
n
D
0
/ CET
CEP
S
n
脉冲宽度
高： CP
MR
图6
（注11 ）
t
pw
(H)
图3,4
（注11 ）
注8 ：
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度（以保证结温等于-55℃ ） ，然后立即进行测试
上电后。这提供了可以被认为是一个最坏的情况，在寒冷的tempertures “冷启动”的规格。
注9 ：
屏幕上的每个设备，在+ 25℃的温度只，群A9上测试100 ％ 。
注10 ：
样品测试（方法5005 ，表一）各生产大量在+ 25°C ，群A9 ，并在+ 125°C和-55℃的温度下，群A10和A11 。
注11 ：
在+ 25℃ ， + 125℃， -55℃的温度（设计特征数据）未测试。
注12 ：
指定的传播延迟为单输出开关。延迟可能会发生变化高达250 ps的具有多个输出的开关。
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6
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
