绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
储存温度
最高结温
陶瓷的
V
EE
端子电位接地引脚
输入电压（直流）
输出电流（ DC输出高电平）
ESD
-65 ° C至+ 150°C
+175˚C
-7.0V至+ 0.5V
V
EE
至+ 0.5V
-50毫安
≥2000V
推荐工作
条件
外壳温度
军事
电源电压（V
EE
)
-55 ° C至+ 125°C
-5.7V至-4.2V
注1 ：
绝对最大额定值是值超出该设备可能
是损坏的或有其使用寿命降低。在这些功能操作
条件是不是暗示。
注2 ：
ESD测试，符合MIL-STD- 883 ，方法3015 。
军用版
DC电气特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ，V
CC
= V
CCA
= GND ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C
符号
V
OH
V
OHC
V
OLC
V
OLZ
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
I
EE
参数
输出高
电压
输出高
电压
输出低
电压
切断低压
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入低
当前
输入高
当前
电源
当前
−155
−53
mA
-55 ° C至+ 125°C
0.50
240
340
µA
µA
µA
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
输入OPEN
V
EE
= -4.2V至-5.7V
（注3，4， 5）
−1830
−1475
mV
-55 ° C至+ 125°C
−1165
民
−1025
−1085
−1035
−1085
−1610
−1555
−1950
−1850
−870
mV
最大
−870
−870
单位
mV
mV
mV
mV
mV
MV
mV
T
C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
-55 ° C至+ 125°C
V
IN
= V
IH
（分钟）
条件
V
IN
= V
IH
（最大）
笔记
（注3，4， 5）
（注3，4， 5）
与装
25Ω至-2.0V
与装
25Ω至-2.0V
或V
白细胞介素（分钟）
V
IN
= V
IH（ MIN）的
或V
白细胞介素（最大）
与装
25Ω至-2.0V
（注3，4， 5）
（注3，4 ，5，6 ）
（注3，4 ，5，6 ）
（注3，4， 5）
（注3，4， 5）
或V
白细胞介素（最大）
所有输入
保证高信号
保证低信号
所有输入
V
EE
= 4.2V, V
IN
= V
IL
（分钟）
V
EE
= −5.7V, V
IN
= V
IH
（最大）
注3 ：
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度（以保证结温等于-55℃ ） ，然后立即进行测试
未经允许交界温度稳定，由于加热后的电耗。这提供了可被认为是最坏的情况“冷启动”的规格
条件在寒冷的气温。
注4 ：
屏幕的每个设备上，在-55℃测试了100 ％，+ 25℃和+ 125℃ ，子群1，2， 3，7，和8 。
注5 ：
样品进行测试（方法5005 ，表Ⅰ）的每个生产大量在-55℃ ， + 25℃ ，和+ 125℃ ，子群A 1 ，2，3 ，7，和8 。
注6 ：
通过将指定的输入条件和测试V保证
OH
/V
OL
.
3
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