绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
上面这使用寿命可能被削弱。
存储温度（T
英镑
)
最高结温（T
J
)
陶瓷的
V
EE
端子电位接地引脚
输入电压（直流）
输出电流（ DC输出高电平）
-65 ° C至+ 150°C
+175˚C
-7.0V至+ 0.5V
V
EE
至+ 0.5V
-50毫安
静电放电（注2）
≥2000V
推荐工作
条件
外壳温度（T
C
)
军事
电源电压（V
EE
)
-55 ° C至+ 125°C
-5.7V至-4.2V
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该DE-
副可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下，是不是暗示。
注2 ：
ESD测试，符合MIL-STD- 883 ，方法3015 。
军用版
DC电气特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ，V
CC
= V
CCA
= GND ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C
符号
V
OH
V
OL
V
OHC
V
OLC
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
I
EE
参数
民
−1085
输出低电压
最大
−870
−870
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
−1610
−1555
输入高电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
电源
当前
−70
−1165
−870
mV
mV
mV
mV
µA
240
340
−25
µA
µA
mA
T
C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55℃〜 + 125˚
0 ° C至+ 125°C
−55˚C
-55 ° C至+ 125°C
保证高信号
所有输入
−1830 −1475
0.50
保证低信号
所有输入
V
EE
= −4.2V
V
IN
= V
白细胞介素（分钟）
V
EE
= −5.7V
V
IN
= V
IH
（最大）
条件
V
IN
= V
IH （最大）
或V
白细胞介素（分钟）
与装
50Ω至-2.0V
笔记
（注3，4， 5）
输出高电压-1025
−1830 −1620
−1830 −1555
输出高电压-1035
−1085
输出低电压
（注3，4， 5）
V
IN
= V
IH （最大）
或V
白细胞介素（分钟）
与装
50Ω至-2.0V
（注3 ，4，5 ，
6)
（注3 ，4，5 ，
6)
（注3，4， 5）
（注3，4， 5）
（注3，4， 5）
输入OPEN
注3 ：
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度（以保证结温等于-55℃ ） ，然后立即进行测试
未经允许交界温度稳定，由于加热后的电耗。这提供了可被认为是最坏的情况“冷启动”的规格
条件在寒冷的气温。
注4 ：
屏幕的每个设备上，在-55℃测试了100 ％，+ 25℃和+ 125℃ ，子群1，2， 3，7，和8 。
注5 ：
样品进行测试（方法5005 ，表Ⅰ）的每个生产大量在-55℃ ， + 25℃ ，和+ 125℃ ，子群A 1 ，2，3 ，7，和8 。
注6 ：
通过将指定的输入条件和测试V保证
OH
/V
OL
.
AC电气特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ，V
CC
= V
CCA
= GND
符号
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
参数
传播延迟
数据输出
转换时间
20％至80 ％，80％至
20%
0.30
1.20
0.30
1.20
0.30
1.20
ns
T
C
= −55˚C
民
0.30
最大
1.80
T
C
= +25˚C
民
0.40
最大
1.60
T
C
= +125˚C
民
0.40
最大
1.80
ns
单位
条件
笔记
（注7 ， 8 ，
9, 11)
（注10 ）
图1,2
注7 ：
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度（以保证结温等于-55℃ ） ，然后立即进行测试
上电后。这提供了可以被认为是一个最坏的情况，在寒冷的气温“冷启动”的规格。
注8 ：
屏幕上的每个设备在+ 25℃时，只有小组A9上测试100 ％ 。
注9 ：
样品测试（方法5005 ，表一）各生产大量在+ 25°C ，小组A9 ，并在+ 125°C和-55℃的温度下，群A10和A11 。
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
