SM5022系列
电气特性
3V操作：一
×
A系列
V
DD
= 2.7〜 3.6V ，V
SS
= 0V ，TA =
−
20至+ 80
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
I
DD
R
UP
R
f
C
G
内置电容
C
D
设计值。监视器模式
在晶片上进行了测试。
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.7V ，我
OH
= 4毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 4毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 3.6V ， INHN = LOW ，V
OH
= V
DD
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 3.6V ， INHN = LOW ，V
OL
= V
SS
30MHz的晶振，测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的
测量CCT 4
测量CCT 5
SM5022A1AH ， CF5022A1A
SM5022A3AH ， CF5022A3A
SM5022A5AH ， CF5022A5A
SM5022A7AH ， CF5022A7A
2.1
–
2.0
–
–
–
–
25
200
7.44
9.3
典型值
2.4
0.3
–
–
–
–
4
100
600
8
10
最大
–
0.4
–
0.5
10
µA
10
7
250
1000
8.56
10.7
mA
k
Ω
k
Ω
pF
pF
V
V
V
V
单位
消耗电流
INHN上拉电阻
反馈电阻
5V操作：一
×
A，B
×
A系列
V
DD
= 4.5〜 5.5V ，V
SS
= 0V ，TA =
−
20至+ 80
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 4.5V ，我
OH
= 8毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 4.5V ，我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 5.5V ， INHN = LOW ，V
OH
= V
DD
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 5.5V ， INHN = LOW ，V
OL
= V
SS
30MHz的晶体振荡器，
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的
30MHz的晶体振荡器，
测量CCT 3 ，负载CCT 2 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的
测量CCT 4
测量CCT 5
SM5022A1AH ， CF5022A1A
SM5022A3AH ， CF5022A3A
SM5022A5AH ， CF5022A5A
SM5022A7AH ， CF5022A7A
SM5022B1AH ， CF5022B1A
SM5022A × AH ， CF5022A ×A
3.9
–
2.0
–
–
–
–
典型值
4.2
0.3
–
–
–
–
7
最大
–
0.4
–
0.8
10
µA
10
12
mA
SM5022B × AH ， CF5022B ×A
–
25
200
7.44
9.3
7
100
600
8
10
12
250
1000
8.56
10.7
kΩ
kΩ
pF
pF
V
V
V
V
单位
消耗电流
I
DD
INHN上拉电阻
反馈电阻
R
UP
R
f
C
G
内置电容
C
D
设计值。监视器模式
在晶片上进行了测试。
精工NPC株式会社-5
NPC [ NIPPON PRECISION CIRCUITS INC ]
