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    CF5015AL5 参数 Datasheet PDF下载

    CF5015AL5图片预览
    型号： CF5015AL5
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2.5V工作基频晶体振荡器模块集成电路 [2.5V Operation Fundamental Frequency Crystal Oscillator Module ICs]
    分类和应用： 振荡器晶体振荡器
    文件页数/大小： 10 页 / 123 K
    品牌： NPC [ NIPPON PRECISION CIRCUITS INC ]
     浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CF5015AL5的Datasheet PDF文件第9页  
    CF5015系列
    3V操作（ CF5015BL × ）
    V
    DD
    = 2.7〜 3.6V ，V
    SS
    = 0V ，TA =
    −40
    至+ 85 ℃，除非另有说明。
    等级
    参数
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    高电平输入电压
    低电平输入电压
    输出漏电流
    符号
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    Z
    条件
    民
    问：测量CCT 1 ，V
    DD
    = 2.7V ，我
    OH
    = 4毫安
    问：测量CCT 1 ，V
    DD
    = 2.7V ，我
    OL
    = 4毫安
    INHN
    INHN
    问：测量CCT 2 ， INHN = LOW
    V
    OH
    = V
    DD
    V
    OL
    = V
    SS
    CF5015BL1
    CF5015BL2
    消耗电流
    I
    DD
    测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
    INHN =开，C
    L
    = 15pF的， F = 60MHz的
    CF5015BL3
    CF5015BL4
    CF5015BL5
    待机电流
    INHN上拉电阻
    反馈电阻
    内置电容
    I
    ST
    R
    UP1
    R
    UP2
    R
    f
    C
    G
    C
    D
    测量CCT 5
    设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
    6.8
    8
    9.2
    pF
    测量CCT 3 ， INHN = LOW
    测量CCT 4
    20
    100
    3.4
    100
    300
    4
    200
    600
    4.6
    kΩ
    kΩ
    pF
    2.1
    –
    0.7V
    DD
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    1
    典型值
    2.4
    0.3
    –
    –
    –
    –
    5.5
    3
    2
    1.5
    1
    –
    4
    最大
    –
    0.4
    –
    0.3V
    DD
    10
    10
    11
    6
    4
    3
    2
    5
    10
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    µA
    MΩ
    单位
    5V操作（ CF5015BL × ）
    V
    DD
    = 4.5〜 5.5V ，V
    SS
    = 0V ，TA =
    −40
    至+ 85 ℃，除非另有说明。
    等级
    参数
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    高电平输入电压
    低电平输入电压
    输出漏电流
    符号
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    Z
    条件
    民
    问：测量CCT 1 ，V
    DD
    = 4.5V ，我
    OH
    = 8毫安
    问：测量CCT 1 ，V
    DD
    = 4.5V ，我
    OL
    = 8毫安
    INHN
    INHN
    问：测量CCT 2 ， INHN = LOW
    V
    OH
    = V
    DD
    V
    OL
    = V
    SS
    CF5015BL1
    CF5015BL2
    消耗电流
    I
    DD
    测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
    INHN =开，C
    L
    = 30pF的， F = 60MHz的
    CF5015BL3
    CF5015BL4
    CF5015BL5
    待机电流
    INHN上拉电阻
    反馈电阻
    内置电容
    I
    ST
    R
    UP1
    R
    UP2
    R
    f
    C
    G
    C
    D
    测量CCT 5
    设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
    6.8
    8
    9.2
    pF
    测量CCT 3 ， INHN = LOW
    测量CCT 4
    10
    100
    3.4
    50
    300
    4
    150
    600
    4.6
    kΩ
    kΩ
    pF
    3.9
    –
    0.7V
    DD
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    0.5
    典型值
    4.2
    0.3
    –
    –
    –
    –
    15
    9.5
    6.5
    5
    4
    –
    2
    最大
    –
    0.4
    –
    0.3V
    DD
    10
    10
    30
    19
    13
    10
    8
    10
    8
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    µA
    MΩ
    单位
    精工NPC株式会社-5

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