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    CF5010AH1 参数 Datasheet PDF下载

    CF5010AH1图片预览
    型号： CF5010AH1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体振荡器模块集成电路 [Crystal Oscillator Module ICs]
    分类和应用： 振荡器晶体振荡器
    文件页数/大小： 25 页 / 167 K
    品牌： NPC [ NIPPON PRECISION CIRCUITS INC ]
     浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第11页浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第12页浏览型号CF5010AH1的Datasheet PDF文件第13页  
    SM5010系列
    5010AH × ， × BH系列
    3V操作： V
    DD
    = 2.7〜 3.6V ，V
    SS
    = 0V ，TA =
    −10
    至+ 70 ℃，除非另有说明。
    等级
    参数
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    高电平输入电压
    低电平输入电压
    输出漏电流
    符号
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    Z
    条件
    民
    问：测量CCT 1 ，V
    DD
    = 2.7V ，我
    OH
    = 2毫安
    问：测量CCT 2 ，V
    DD
    = 2.7V ，我
    OL
    = 2毫安
    INHN
    INHN
    问：测量CCT 2 ， INHN =低，
    V
    DD
    = 3.6V
    V
    OH
    = V
    DD
    V
    OL
    = V
    SS
    5010×H1
    消耗电流
    I
    DD
    测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
    INHN =开，C
    L
    = 15pF的， F = 16MHz时
    5010×H2
    5010×H3
    5010×H4
    INHN上拉电阻
    反馈电阻
    振荡器扩增fi er输出
    阻力
    R
    UP2
    R
    f
    R
    D
    C
    G
    内置电容
    C
    D
    设计值。在监视器模式
    晶片测试。
    测量CCT 4
    测量CCT 5
    设计值
    5010B××
    5010A××
    5010B××
    5010A××
    5010B××
    2.1
    –
    2.0
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    40
    80
    690
    26
    20
    26
    20
    典型值
    2.4
    0.3
    –
    –
    –
    –
    3
    2
    1.5
    1.5
    100
    200
    820
    29
    22
    29
    22
    最大
    –
    0.5
    –
    0.5
    10
    µA
    10
    6
    4
    mA
    3
    2.5
    250
    500
    940
    32
    24
    pF
    32
    24
    kΩ
    kΩ
    Ω
    V
    V
    V
    V
    单位
    5V工作电压： V
    DD
    = 4.5〜 5.5V ，V
    SS
    = 0V ，TA =
    −40
    至+ 85 ℃，除非另有说明。
    等级
    参数
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    高电平输入电压
    低电平输入电压
    输出漏电流
    符号
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    Z
    条件
    民
    问：测量CCT 1 ，V
    DD
    = 4.5V ，我
    OH
    = 4毫安
    问：测量CCT 2 ，V
    DD
    = 4.5V ，我
    OL
    = 4毫安
    INHN
    INHN
    问：测量CCT 2 ， INHN =低，
    V
    DD
    = 5.5V
    V
    OH
    = V
    DD
    V
    OL
    = V
    SS
    5010×H1
    消耗电流
    I
    DD
    测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
    INHN =开，C
    L
    = 15pF的， F = 30MHz的
    5010×H2
    5010×H3
    5010×H4
    INHN上拉电阻
    反馈电阻
    振荡器扩增fi er输出
    阻力
    R
    UP2
    R
    f
    R
    D
    C
    G
    内置电容
    C
    D
    设计值。在监视器模式
    晶片测试。
    测量CCT 4
    测量CCT 5
    设计值
    5010B××
    5010A××
    5010B××
    5010A××
    5010B××
    3.9
    –
    2.0
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    40
    80
    690
    26
    20
    26
    20
    典型值
    4.2
    0.3
    –
    –
    –
    –
    9
    6
    5
    4
    100
    200
    820
    29
    22
    29
    22
    最大
    –
    0.5
    –
    0.8
    10
    µA
    10
    18
    12
    mA
    10
    8
    250
    500
    940
    32
    24
    pF
    32
    24
    kΩ
    kΩ
    Ω
    V
    V
    V
    V
    单位
    SEIKO NPC公司-9

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