NJG1521PE1
N端
信息
PIN号
1
符号
V
DD
说明
正电压提供端。正电压（+ 2.7 〜+ 5.0V）必须
提供的。请连接一个旁路电容与GND端子出色的RF
性能。
高阻抗C- MOS输入端子。该终端设置为高
Level(+2V~V
DD
）或Low-Level （ + 0.6V 〜 0V ） 。如果这个端的电压电平是
不稳定，请连接一个电阻（ 100kΩ的）与GND端子或V
DD
终奌站。
高阻抗C- MOS输入端子。该终端设置为高
Level(+2V~V
DD
）或Low-Level （ + 0.6V 〜 0V ） 。如果这个端的电压电平是
不稳定，请连接一个电阻（ 100kΩ的）与GND端子或V
DD
终奌站。
高阻抗C- MOS输入端子。该终端设置为高
Level(+2V~V
DD
）或Low-Level （ + 0.6V 〜 0V ） 。如果这个端的电压电平是
不稳定，请连接一个电阻（ 100kΩ的）与GND端子或V
DD
终奌站。
负电源端。请提供-3.5 〜 -2.0V的负电压
在发射状态。在接收状态时，该端子内部断开，
所以这个端子的电压（负，短，或打开）不会影响到
接收信号质量。旁路电容应连接在此之间
端子和GND为出色的RF性能。
RF接收端口。的56pF 〜 100pF的外部电容，需要阻止直流
电压（V
DD
).
RF发送/接收端口。的56pF 〜 100pF的外部电容需要
阻止直流电压（V
DD
).
RF传输端口。的56pF 〜 100pF的外部电容，需要阻止
直流电压（V
DD
).
ANT2终止端口。通过适当的请连接该端口和GND
电容（ 10pF的），以抑制ANT1端口信号的ANT2端口的干扰。
电容器可以作为直流电压（V
DD
）阻断。
2
CTL1
4
CTL2
5
CTL3
6
V
SS
8
10
12
14
EXT2
EXT1
TX
TER2
15
17
19
21
ANT2
ANT1
RX
TER1
RF接收端口。一个外部电容器（ 56pF 〜 100pF的）是必需的，以阻止直流
电压（V
DD
) .
RF发送/接收端口。一个外部电容器（ 56pF 〜 100pF的）是必需的，以
块的DC电压（V
DD
) .
RF接收端口。一个外部电容器（ 56pF 〜 100pF的）是必需的，以阻止直流
电压（V
DD
) .
ANT1终止端口。通过适当的请连接该端口和GND
电容（ 5pF的），以抑制ANT2端口信号的ANT1端口的干扰。
电容器可以作为直流电压（V
DD
）阻断。 。
3, 7, 9, 11,
13,16, 18,
20, 22,23,
24
GND
接地端子。请接此端与地平面尽可能接近
可能出色的RF性能。
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