NJG1515AVB2
N端
信息
PIN号
1
符号
说明
CTL2
高阻抗C- MOS输入端子。该终端设置为高级别由
2V~V
DD
，和Low-Level通过+ 0.6V 〜 0V 。如果是开放的或不稳定的水平，
通过100KΩ电阻与接地端子或V端连接
DD
终奌站。
CTL3
高阻抗C- MOS输入端子。该终端设置为高级别由
2V~V
DD
，和Low-Level通过+ 0.6V 〜 0V 。如果是开放的或不稳定的水平，
通过100KΩ电阻与接地端子或V端连接
DD
终奌站。
V
SS
负电源端。负电压（-3.5 〜 -2.0V ）得
上发送来提供。否则为-2.5 〜 0V的负电压可以是
或使用该终端可以住内部的水平，因为这种开放，
终端会自动设置为GND电平在接收到。旁路电容
有要与GND端子为优良的RF性能连接。
EXT2
RF接收端口。的56pF 〜 100pF的外部电容，需要阻止
直流电压（V
DD
).
EXT1
RF发送/接收端口。的56pF 〜 100pF的外部电容器
阻止直流电压（V所需
DD
).
TX
RF传输端口。的56pF 〜 100pF的外部电容需要
块的DC电压（V
DD
).
TER2
ANT1终止端口。 ANT1端口到端口ANT2的影响
通过合适的终端终止这个端口抑制。一
外部电容（ 5pF的）是必需的，以阻止直流电压（V
DD
).
RF发送/接收端口。的56pF 〜 100pF的外部电容器
阻止直流电压（V所需
DD
).
RF接收端口。的56pF 〜 100pF的外部电容，需要阻止
直流电压（V
DD
).
RF接收端口。的56pF 〜 100pF的外部电容，需要阻止
直流电压（V
DD
).
ANT2终止端口。 ANT2端口到端口ANT1的影响
通过终止这个端口与相应的终端抑制。外部
电容（ 5pF的）是必需的，以阻止直流电压（V
DD
).
正电压提供端。正电压（ 2.7〜 5.0V ），必须
提供的。旁路电容器已被具有GND端子用于连接
优异的RF性能。
高阻抗C- MOS输入端子。该终端设置为高级别由
2V~V
DD
，和Low-Level由+ 0.6 〜 0V 。如果是开放的或不稳定的水平，
通过100KΩ电阻与接地端子或V端连接
DD
终奌站。
接地端子。请接此端与地平面尽可能接近
可能出色的RF性能。
2
3
4
6
8
10
11
13
15
17
ANT1
RX
ANT2
TER1
19
V
DD
20
CTL1
5,7,9,12,
14,16,18
GND
-7-
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