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GCM3195G1H102GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
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NFM15CC222D1C3#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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GRM1551X1H9R8DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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GQM1875G2E5R1WB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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GRM21BB11E563MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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BM1C102F

作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)+准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC,BM1C102F为所有带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路/X-Cap放电功能,有助于实现低待机功耗。PFC部采用电压控制方式的临界模式(BCM),可通过Zero Current Detection(ZCD)降低开关损耗和噪声。通过电阻进行零电流检测,因此无需ZCD用辅助绕组,可减少偏置部电路的零件数量,降低损耗。DCDC部采用准谐振方式。此方式实现了软开关,有助于实现低EMI。外接开关MOSFET及电流检测电阻,可实现自由度高的电源设计。轻负载时通过启动脉冲串功能提高效率。内置双系统PFC输出过电压保护功能。内置任意负载的PFC ON/OFF功能,可降低待机功耗。内置丰富的保护功能(VCC过电压保护、外部锁存保护、掉电保护、软启动功能、逐周期过电流限制、过负荷保护等)。
开关软启动脉冲功率因数校正插座转换器
0 ROHM

BM61M22BFJ-C

本品为内置绝缘电压2500Vrms、最大输入输出延迟时间60ns、最小输入脉冲宽度60ns的绝缘元件的栅极驱动器。内置低电压时误动作防止功能(UVLO)。
栅极驱动脉冲驱动器
0 ROHM

GQM0335G2D220GB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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GRM188R71H302MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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GCM1885C2A511GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
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PMV65XPE

20 V, P-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
1 NEXPERIA

SGM31323

Constant Current RGB LED Driver with I2C Interface
暂无信息
0 SGMICRO

GJM0225C1E1R9CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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TLE4999I3

The XENSIV™ TLE4999I3 provides all means that are necessary to fulfill the state-of-the-art functional safety requirements on system level. It is developed in full compliance with ISO 26262. The device provides high redundancy on one chip by means of two sensor elements included within one monolithic silicon design. The two diverse Hall sensor elements („main” and „sub”) have internally separated signal paths within the chip. A plausibility check secures the high diagnostic coverage required for premium functional safety compliant systems up to ASIL-D.
暂无信息
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IMW65R039M1H

CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,以提供经济高效的性能。
半导体
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