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NJG1107HB3 参数 Datasheet PDF下载

NJG1107HB3图片预览
型号: NJG1107HB3
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内容描述: 低噪声放大器MMIC砷化镓 [LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC]
分类和应用: 射频和微波射频放大器微波放大器
文件页数/大小: 8 页 / 186 K
品牌: NJRC [ NEW JAPAN RADIO ]
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NJG1107HB3  
nABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=+25°C, Zs=Zl=50W)  
PARAMETER  
Drain Voltage  
SYMBOL  
CONDITIONS  
RATINGS  
6.0  
UNIT  
VDD  
Pin  
PD  
V
dBm  
mW  
°C  
Input Power  
VDD=2.7V  
At on PCB board  
+15  
Power Dissipation  
Operating Temp.  
Storage Temp.  
135  
Topr  
Tstg  
-40~+85  
-55~+150  
°C  
nELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(VDD=2.7V, f=1.575GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50W, TEST CIRCUIT)  
PARAMETER  
Operating Frequency  
Drain Voltage  
SYMBOL  
freq1  
VDD  
CONDITIONS  
MIN  
1.57  
2.5  
-
TYP  
1.575  
2.7  
MAX  
1.58  
5.5  
3.2  
-
UNIT  
GHz  
V
Operating Current  
Small Signal Gain  
Noise Figure  
IDD  
RF OFF  
2.5  
mA  
dB  
Gain  
NF  
15.0  
-
17.0  
1.1  
1.3  
dB  
Pin at 1dB Gain  
Compression point  
Input 3rd Order  
Intercept Point  
RF Input Port  
VSWR  
P-1dB  
IIP3  
-20.0  
-6.0  
-
-16.0  
-4.0  
1.6  
-
dBm  
dBm  
f=1.575+1.5751GHz  
RFin=-35dBm  
-
VSWRi  
VSWRo  
2.0  
2.0  
RF Output Port  
VSWR  
1.6  
- 2 -