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NJG1102F1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NJG1102F1
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内容描述: 低噪声放大器MMIC砷化镓 [LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC]
分类和应用: 放大器射频微波
文件页数/大小: 8 页 / 141 K
品牌: NJRC [ NEW JAPAN RADIO ]
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NJG1102F1
nTYPICAL
CHARACTERISTICS
NF,Gain vs. frequency
(V =2.7V,I =3mA)
3
2.8
2.6
2.4
DD
DD
S21,S11,S22,S12 vs. frequency
20
18
16
14
12
10
8
6
25
20
15
(V
DD
=2.7V,I
DD
=3mA)
50
40
30
Gain(dB)
S21,S11,S22(dB)
Gain
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
S21
20
10
0
-10
NF(dB)
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8 0.82 0.84 0.86 0.88 0.9 0.92 0.94 0.96 0.98
1
NF
4
2
0
S22
S12
S11
-20
-30
-40
-50
1.4
1.6
1.8
2
frequency(GHz)
frequency(GHz)
Pin vs. Pout
(V =2.7V,I =3mA,f=820MHz)
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-40
DD
DD
Pin vs. Pout,IM3
(V =2.7V,I =3mA,f=820+820.1MHz)
10
0
-10
DD
DD
Pout
P-1dB=+0.8dBm
Pout,IM3(dBm)
Pout(dBm)
-20
-30
-40
-50
-60
IM3
IIP3=-3.5dBm
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Pin(dBm)
-70
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Pin(dBm)
DD
1.7
Gain vs. V
17.5
NF,I
DD
vs. V
DD
3
( f=820MHz )
( f=820MHz )
I
1.6
17
DD
2.9
Gain(dB)
16.5
NF(dB)
16
1.4
15.5
1.3
2.7
15
2.6
14.5
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.2
2.5
3
3.5
4
DD
2.5
4.5
5
V
DD
(V)
V (V)
-3-
DD
NF
I (mA)
1.5
2.8
S12(dB)