SBD
T y p e :
C120P06QE
■OUTLINE DRAWING
構造
： ショトキバリア
ダイオード(S B D)
Construction: Schottky Barrier Diode
用途
：
高周波整流用
Application : High Frequency Rectification
■最大定格 / Maximum Ratings
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non-repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
動�½�接合温度範囲
Operating JunctionTemperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
締付けトルク
Mounting torque
Symbol
V
RRM
V
RSM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
700
120
Approx Net Weight:30g
C120P06QE
60
65
50 Hz、正弦全波通電抵抗負荷
Tc=81℃ Full Sine Wave,
Resistive Load
133
50 Hz 正弦全波, 1サイクル, 非くり返し
Full Sine Wave,1cycle,Non-repetitive
- 40 ∼ + 150
- 40 ∼ + 150
アノード・カ�½ード電極部推奨値=0.5
（Anode,Kathode Lead Recommended torque）
カ�½ードベース部推奨値=2.4
（Kathode Base Recommended torque）
Unit
V
V
A
A
A
℃
℃
Ftor
N�½�m
■電気的・熱的特性 / Electrical �½� Thermal Characteristics
Characteristics
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
熱抵抗(接合部・ケース間)
Thermal Resistance(Junction to Case)
Symbol
I
RM
V
FM
Rth(j-c)
Tj=
per
Tj=
per
Conditions
25 ℃, V
RM
= V
RRM
arm
25 ℃, I
FM
= 60 A
arm
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
40
0.67
0.45
Unit
mA
V
℃/W
Junction to Case
NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
