2.0 A200V T
jw
150
℃
Diffusion-
Diffusion-type Silicon Rectifier Diode
拡散型シリコンダイオード
Axial Lead Type
外 �½�
図
20KDA20
構造
Construction
拡散型シリコンダイオード,リード線型
Diffusion-type Silicon Rectifier Diode
用途
Application
一般整流用
For General Use
質量：0.38�½�
■ 最大定格
MAXIMUM RATINGS
Item
Symbol
Condition
Max. Rated value
Unit
くり返しピーク逆電圧
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
50Hz
正弦半波
200
50Hz half sine wave
V
A
A
A
℃
℃
平均整流電流
Average rectified forward current
Ta = 34℃
Tl =
115℃
*1
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
1.7
2.0
3.14
抵抗負荷
Resistance load
実効順電流
R.M.S. forward current
サージ順電流
Surge forward current
50Hz
正弦半波 1 サイクル 非くり返し
50Hz half sine wave 1cycle, non-repetitive
75
−40∼+150
−40∼+150
動�½�接合温度範囲
Operating junction temperature range
保存温度範囲
Storage temperature range
■ 電気的・熱的特性
Item
ELECTRICAL / THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
ピーク逆電流
Peak reverse current
I
RM
V
FM
R
th(j-a)
R
th(j-l)
V
RM
=V
RRM
I
FM
=2.0A
Tj=25℃
Tj=25℃
*1(��リント基板実装)
−
−
−
−
−
−
−
−
10
1.0
70
17
μ
A
V
℃/W
ピーク順電圧
Peak forward voltage
接合部・周囲間
Junction to Ambient
熱抵抗
Thermal resistance
接合部・リード間
Junction to Lead
*1：プリント基板実装 ／ P.C. Board mounted (L=8mm,Print Land=15×15mm,Both Sides)
NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
