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12T06A-CW 参数 Datasheet PDF下载

12T06A-CW图片预览
型号: 12T06A-CW
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内容描述: 三端双向可控硅,12A无缓冲器,逻辑层次和水平 [TRIACs, 12A Snubberless, Logic Level and Standard]
分类和应用: 可控硅三端双向交流开关
文件页数/大小: 6 页 / 585 K
品牌: NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RoHS  
12T Series RoHS  
SEMICONDUCTOR  
Fig.7 Non-repetitive surge peak on-state current  
for a sinusoidal pulse with width tp < 10ms.  
and corresponding value of l2t.  
Fig.8 Relative variation of gate trigger current,holding  
current and latching current versus junction  
temperature (typical values).  
lTSM (A), l2t(A2s)  
lGT,lH,lL[Tj] / lGT,lH,lL [Tj=25°C]  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
dI/dt limitation:  
50A/µs  
Tj initial=25°C  
1000  
IGT  
ITSM  
IH & IL  
I2t  
100  
10  
Tj(°C)  
tp (ms)  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120 140  
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
Fig.10 Relative variation of critical rate of  
Fig.9 Relative variation of critical rate of decrease  
of main current versus (dV/dt)c (typical values).  
decrease of main current versus (dV/dt)c  
(typical values).  
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c  
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.8  
2.4  
TW  
2.0  
SW  
C
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
B
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
CW/BW  
(dV/dt)c (V/µs)  
0.5  
0.0  
(dV/dt)c (V/µs)  
0.1  
1.0  
10.0  
100.0  
0.1  
1.0  
10.0  
100.0  
Fig.12 D2PAK thermal resistance junction to  
ambient versus copper surface under  
tab (printed circuit board FR4, copper  
thickness: 35µm)  
Fig.11 Relative variation of critical rate of decrease  
of main current versus junction temperature  
(dI/dt)c [Tj] (dl/dt)c [Tj specified ]  
Rth(j-a)(°C/W)  
80  
70  
60  
50  
40  
6
5
4
D2PAK  
3
2
30  
20  
10  
0
1
S(cm2)  
Tj(°C)  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
36  
40  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
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