K24C02C/K24C04/K24C08C/K24C16B
2K位（ 256× 8 ） / 4K位（ 512 ×8 ） / 8K位（ 1024 ×8 ） / 16K位（ 2048× 8 ）
两线串行EEPROM
写操作
写字节：
写操作需要一个8位数据地址下面的器件地址和
确认。在收到该地址后，EEPROM将再次与"0"然后时钟中的第一个响应
8位的数据字。在接收到8位的数据字时，EEPROM将输出一个"0"的和寻址装置，例如
作为微控制器，必须终止与停止条件写序列。此时EEPROM进入
内部定时写周期， tWR的，到非易失性存储器。所有的输入都是在此写周期和禁用
EEPROM不会响应，直到写操作完成（见图5第7页） 。
页写：
在2K EEPROM能够一个8字节页写，而4K ， 8K和16K器件能实现
16字节页写。
一个页面写入启动同一个字节写，但之后的第一个微控制器没有发出一个停止条件
数据字被时钟，相反，对EEPROM确认接收到第一个数据字的后，微控制器可以
传输多达七（ 2K ）或15 （ 4K ， 8K ， 16K ）更多的数据字。该EEPROM将与"0"后，每个响应
接收到的数据字。单片机必须终止与停止条件的页写操作（参见图6
第7页） 。
数据地址的低三位（ 2K ）或四个（ 4K ， 8K ， 16K）会在内部自动递加收据
每个数据字。更高的数据地址位没有变化，保持存储器的页地址。当
字地址，内部产生的，达到页边界，后面的字节被放置在的开头
同一个页面。如果超过8 （2K）或16 （ 4K，8K ， 16K）数据被发送到EEPROM中，数据字
地址"roll over"和以前的数据将被覆盖。
确认查询：
一旦内部定时写周期已经开始， EEPROM输入被禁止，
应答查询可以启动。该过程包括发送一个起始条件器件地址。该
读/写位由需要进行的操作。只有当内部写周期结束的EEPROM
响应一个"0" ，允许读或写序列继续。
读操作
读操作被启动的方式相同的写操作，不同的是读/写，在选择位
器件地址设置为"1".有三种读操作：当前地址读，随机地址读
顺序读。
当前地址读：
内部数据地址计数器保留最后一次访问的地址
在最后一次读或写操作中，通过增加一。只要这个地址在操作运行期间有效，芯片
功率保持不变。在读出的地址"roll over"是从最后一个存储器页面的第一个字节的最后一个字节
第一页的。写在地址"roll over"是从当前页的对的第一个字节的最后一个字节
同一个页面。
一旦与读取设备地址/写选择位设置为"1"的时钟并承认的EEPROM中，
当前地址的数据是串行输出。单片机不带输入"0"应答信号，而是
产生一个停止条件（参见图7第8页） 。
2011年春季
V1.3
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006
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