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NT5DS4M32EG-5 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NT5DS4M32EG-5
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内容描述: 1M 】 32位】 4银行双数据速率同步RAM采用双向数据选通和DLL [1M 】 32 Bits 】 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM With Bi-Directional Data Strobe and DLL]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 46 页 / 1048 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
NT5DS4M32EG
超前信息
表2 :输入/输出功能描述
符号
CK , / CK
#
TYPE
输入
功能
差分系统时钟输入。
所有的输入被采样在时钟的除外DQ的上升沿
并且被采样的DQS的两个边缘的DM的。
CKE高激活和CKE低停用内部时钟,输入缓冲器
器和输出驱动器。通过停用时钟, CKE低表示
掉电模式和自刷新模式。
/ CS允许(注册低)和禁用(注册高级)命令
解码器。当/ CS注册高,新命令将被忽略,但
以前的操作继续进行。
锁存行地址与/ RAS的CK的正边沿
低。让行存取&预充电。
锁存器地址栏上用/ CK的正边沿
CAS低。启用列的访问。
允许写操作和行预充电。锁存数据从/开始
CAS , / WE活跃。
数据输入和输出都与DQS​​的两个边缘同步。
DQS0的DQ0 〜 DQ7 , DQS1的DQ8 〜 DQ15 , DQS2的DQ16 〜 DQ23 ,
DQS3的DQ24 〜 DQ31
数据掩码。数据在通过DM延迟= 0时,屏蔽DM是高
突发写入。 DM0的DQ0 〜 DQ7 , DM1的DQ8 〜 DQ15 , DM2的DQ16 〜
DQ23 , DM3的DQ24 〜 DQ31 。
数据输入和输出复用在相同的针。
选择哪个银行是有活性。
行,列地址复用相同的引脚。行地址:
RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA7 。列地址CA8使用
自动预充电。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲,以提供分离的电源和接地
改进
抗干扰能力。
参考电压输入端,用于SSTL接口。
该引脚建议留“无连接”的设备上。
没有内部连接
CKE
输入
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
的DQ
0
〜 DQS
3
输入
输入
输入
输入
INPUT,OUTPUT
DM
0
· DM
3
DQ
0
? DQ
31
BA
0
〜 BA
1
A
0
~ A
11
V
DD
, V
SS
V
DDQ
, V
SSQ
V
REF
NC / RFU
MCL
输入
INPUT,OUTPUT
输入
输入
电源
电源
电源
无连接/
保留为将来
利用
必须连接低
# :用于差分时钟的定时基准点是CK和/ CK的交叉点。
对于使用单端时钟的任何应用程序,适用于VREF / CK引脚。
文件号14-02-045版本A ECN 01-1118
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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