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N64T1630C1BZ 参数 Datasheet PDF下载

N64T1630C1BZ图片预览
型号: N64T1630C1BZ
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内容描述: 64MB超低功耗异步CMOS PSRAM 4M 】 16位 [64Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM 4M 】 16 Bits]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 18 页 / 349 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
表4 :绝对最大额定值
1
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
在V电压
CCQ
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN,OUT
V
CC
V
CCQ
P
D
T
英镑
T
A
N64T1630C1B
超前信息
等级
-0.5到V
CCQ
+0.3
-0.2〜 3.6
-0.2〜 4.0
500
-55到150
-25至+85
单位
V
V
V
mW
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件,操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表5 :工作特性(在规定的温度范围)
电源电压
电源电压的I / O
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作电流
1
页面模式工作电流
待机电流
2
V
IN
= V
CC
或0V
符号
V
CC
V
CCQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCP
I
OH
= -0.2mA
I
OL
= 0.2毫安
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
IN
=V
CCQ
或0V
芯片启用,我
OUT
= 0
V
IN
=V
CCQ
或0V
芯片启用,我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
V
CC
= V
CC
最大值,T
A
= 85
o
C
100
评论
分钟。
2.7
VCC
0.8V
CCQ
–0.2
0.8V
CCQ
0.2V
CCQ
1
1
25
15
马克斯。
3.3
3.3
V
CCQ
+0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
I
SB
170
µA
1.该参数指定禁用,以避免外部负载效应的输出。用户必须添加所需的电流
驱动器的输出电容预期在实际系统中。
2.此设备假定待机模式下,如果芯片被禁用( CE高点) 。为了实现低待机电流都必须输入
可以在0.2伏电压VCC或VSS的。
库存号23357-冯ê 07/05
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
3