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N08T1630C1BT2 参数 Datasheet PDF下载

N08T1630C1BT2图片预览
型号: N08T1630C1BT2
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内容描述: 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 254 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
订购信息
N08T1630CxB
N08T1630CXB X( X) -XXI
55 = 55ns
70 = 70ns的
性能
Z = 48 -BGA
Z2 =绿色48 - BGA封装(符合RoHS )
T = 44 TSOP2
T2 =绿色44 TSOP2 (符合RoHS )
# CE
1 = 1 CE ( TSOP )
2 = CE ( BGA )
修订历史
调整
A
B
C
D
E
F
G
H
日期
2002年8月
2002年9月
2002年11月
2003年2月
2003年4月
2003年9月
2003年11月
2005年1月
变更说明
最初的初步释放
添加TSOP选择订购信息
添加55ns排序
更新BGA封装厚度1.2毫米到1.0毫米
更新的双CE的BGA只
我的改变
SB
@ 3.0V至60微安
牛逼的变化
HZ
以20ns的为55ns的一部分
牛逼的变化
DW
以40ns的为55ns和70ns的一部分
我的改变
SB
@ 3.0V至70微安
添加了绿色包装产品
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产品的预期可能导致显著的伤害或死亡,其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
( DOC # 14-02-004 REV ħ ECN # 01-1102 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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