纳安解决方案公司
功能框图
N08T1630CxB
地址
输入
A0 - A18
地址
解码
逻辑
512K
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
L
CE2
1
X
L
H
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
4
L
H
UB
X
X
H
L
2
L
2
L
2
LB
X
X
H
L
2
L
2
L
2
I / O
0
- I / O
152
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
3
待机
3
待机
3
写
读
活跃
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1. CE2仅适用于BGA封装。
2.当UB和LB在选择模式(低) , I / O
0
- I / O
15
受到影响,如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响,如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响,如图所示。
3.当设备处于待机模式时,控制输入(WE ,OE , UB和LB) ,地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响,从外部施加任何影响禁用。
4.当我们被调用时, OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1,这些参数在设备特性验证,并非100%测试
( DOC # 14-02-004 REV ħ ECN # 01-1102 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
2