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N08L163WC1CT1 参数 Datasheet PDF下载

N08L163WC1CT1图片预览
型号: N08L163WC1CT1
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内容描述: 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 224 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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N08L163WC1C
纳安解决方案公司
时序测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度
0.1V
CC
0.9 V
CC
1V/ns
0.5 V
CC
CL = 50pF的
-40至+85
o
C
超前信息
定时
读周期时间
地址访问时间(随机存取)
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
注意:
1.全设备交流操作假定一个100us的斜坡时间从0到Vcc (分钟)和Vcc的常态化后200us的等待时间。
2.全面的设备操作要求,从V的Vcc线性斜坡
DR
到Vcc (分钟)
100us的或稳定的工作电压(分钟)
100us.
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
LBZ
, t
UBZ
t
HZ
t
OHZ
t
LBHZ
, t
UBHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
LBW
, t
UBW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
55
55
55
25
55
10
5
10
20
20
20
10
55
40
40
40
40
0
0
20
25
0
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
库存号23394 -B 01/05
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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