IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

FFPF08S60STU

8A，600V，STEALTH™ II 二极管

软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网

0 ONSEMI

GCM1555C1HR16BA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

1 MURATA

GRM21BR11E683MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRM2162C1H621JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRM155B10J104KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRM188R71H154KAC4#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)＋准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC，BM1C102F为所有带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路／X-Cap放电功能，有助于实现低待机功耗。PFC部采用电压控制方式的临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection（ZCD）降低开关损耗和噪声。通过电阻进行零电流检测，因此无需ZCD用辅助绕组，可减少偏置部电路的零件数量，降低损耗。DCDC部采用准谐振方式。此方式实现了软开关，有助于实现低EMI。外接开关MOSFET及电流检测电阻，可实现自由度高的电源设计。轻负载时通过启动脉冲串功能提高效率。内置双系统PFC输出过电压保护功能。内置任意负载的PFC ON/OFF功能，可降低待机功耗。内置丰富的保护功能（VCC过电压保护、外部锁存保护、掉电保护、软启动功能、逐周期过电流限制、过负荷保护等）。

开关软启动脉冲功率因数校正插座转换器

0 ROHM

NTTFS1D2N02P1E

MOSFET - Power, Single N-Channel, Power33, 25V, 1.0mW, 180 A

暂无信息

0 ONSEMI

BD35395FJ-M

BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度，本产品拥有独立的基准输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7

驱动动态存储器双倍数据速率稳压器

0 ROHM

XDPS2201

XDP™ 数字电源 XDPS2201是一种多模式、数字可配置的混合反激控制器，它结合了传统简化的反激拓扑结构和谐振变换器的性能。通过使用两个高压MOSFET，例如CoolMOSTM，混合反激XDPS2201控制器能够在不对称半桥反激拓扑中驱动高压侧和低压侧MOSFET。通过调节正负磁化电流的方法，可以在初级实现零电压开关和次级实现零电流开关，提高了效率。此外，变压器漏感能量被回收，更进一步提高效率。

变压器开关反激控制驱动控制器高压

0 INFINEON