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N04L163WC1AT 参数 Datasheet PDF下载

N04L163WC1AT图片预览
型号: N04L163WC1AT
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内容描述: 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 265 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
时序测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度
N04L163WC1A
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
CL = 30pF的
-40至+85
o
C
定时
-70
符号
2.3 - 2.65 V
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
LBZ
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OHZ
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LBHZ
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UBHZ
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OH
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WC
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CW
t
AW
t
LBW
, t
UBW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
40
0
5
10
5
10
0
0
0
10
85
50
50
50
40
0
0
20
40
0
5
20
20
20
85
85
85
30
85
10
5
10
0
0
0
10
70
50
50
50
40
0
0
20
20
20
20
马克斯。
2.7 - 3.6 V
分钟。
70
70
70
25
70
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
( DOC # 14-02-018 REV我ECN # 01-1001 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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