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    N02M0818L2AN-85I 参数 Datasheet PDF下载

    N02M0818L2AN-85I图片预览
    型号： N02M0818L2AN-85I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx8位 [2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit]
    分类和应用： 医疗静态存储器
    文件页数/大小： 8 页 / 216 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N02M0818L2AN-85I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N02M0818L2AN-85I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N02M0818L2AN-85I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N02M0818L2AN-85I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N02M0818L2AN-85I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N02M0818L2AN-85I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N02M0818L2AN-85I的Datasheet PDF文件第8页  
    纳安解决方案公司
    N02M0818L2A
    推荐时间限制 - 读周期
    （不是所有的包容性测试值）
    1.3 - 2.3 V
    项
    符号
    分钟。
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片使能到输出有效
    输出使能到输出有效
    芯片使能为低阻抗输出
    输出使能为低阻抗输出
    芯片禁用到高阻输出
    输出禁止到高阻输出
    从地址变更输出保持
    t
    RC
    t
    AA
    t
    CO
    t
    OE
    t
    LZ
    t
    OLZ
    t
    HZ
    t
    OHZ
    t
    OH
    100
    50
    0
    0
    50
    150
    150
    500
    500
    500
    200
    20
    10
    0
    0
    10
    30
    30
    马克斯。
    分钟。
    100
    100
    100
    50
    马克斯。
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    1.65 - 2.3 V
    单位
    推荐时间限制 - 写周期
    （不是所有的包容性测试值）
    1.3 - 2.3 V
    项
    符号
    分钟。
    写周期时间
    芯片使能写操作的结束
    地址有效到写结束
    地址建立时间
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    写入输出高阻态
    数据写入时间重叠
    从时间写数据保持
    结束写入低-Z输出
    从地址变更输出保持
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    WP
    t
    AS
    t
    WR
    t
    WHZ
    t
    DW
    t
    DH
    t
    OW
    t
    OH
    300
    0
    50
    0
    500
    400
    400
    300
    0
    0
    50
    40
    0
    10
    0
    马克斯。
    分钟。
    85
    50
    50
    40
    0
    0
    15
    马克斯。
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    1.65 - 2.3 V
    单位
    （ DOC ＃ 14-02-036版本C ECN ＃ 01-0887 ）
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
    4

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