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N02M0818L2AD-85I 参数 Datasheet PDF下载

N02M0818L2AD-85I图片预览
型号: N02M0818L2AD-85I
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内容描述: 2MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx8位 [2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit]
分类和应用: 医疗静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 216 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN,OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N02M0818L2A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3〜 3.0
500
-40至125
-20至+60
240
o
C, 10秒(仅适用于铅)
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件,操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐工作极限
(未测试全包值) 1
核心供电电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
µs
周期
2
读/写工作电流
@ 85 ns的周期时间
2
待机电流
3
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用,我
OUT
= 0
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用,我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 37
o
C,V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 1.0V, V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用,T
A
= 85
o
C
芯片禁用(注3 )
测试条件
分钟。
1.3
1.0
0.7V
CCQ
V
CCQ
+0.5
–0.5
V
CCQ
–0.3
0.3
0.1
0.1
2.5
13.0
0.3V
CCQ
最大
2.3
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
I
SB1
450
nA
数据保持电流
3
I
DR
1.0
µA
1.这些限制是预期的运行条件该设备。仅在该范围内的条件下选择的点
专门测试和保证。
2.此参数指定禁用,以避免外部负载效应的输出。用户必须将当前的
以驱动输出电容预期在实际系统中必需的。
3.芯片被禁止时, CE1 #是高还是CE2为低或UB #和LB #高。当CE1 #是芯片启用
低, CE2高。
( DOC # 14-02-036版本C ECN # 01-0887 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
3