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    N16T1630C2BZ2-55 参数 Datasheet PDF下载

    N16T1630C2BZ2-55图片预览
    型号： N16T1630C2BZ2-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS [16Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 239 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N16T1630C2BZ2-55的Datasheet PDF文件第9页  
    NanoAmp Solutions, Inc.  
    Timing Test Conditions  
    N16T1630C2B  
    Item  
    Input Pulse Level  
    0.1VCC to 0.9 VCC  
    Input Rise and Fall Time  
    5ns  
    Input and Output Timing Reference Levels  
    0.5 VCC  
    -40 oC to +85 oC  
    Operating Temperature  
    Output Load Circuit  
    V
    CC  
    14.5K  
    30 pF  
    I/O  
    14.5K  
    Output Load  
    (DOC#14-02-007 REV F ECN# 01-1103)  
    The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
    4

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