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    N08T1630C2BZ2 参数 Datasheet PDF下载

    N08T1630C2BZ2图片预览
    型号： N08T1630C2BZ2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 254 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N08T1630C2BZ2的Datasheet PDF文件第9页  
    NanoAmp Solutions, Inc.  
    Timing of Read Cycle (CE1 = OE = V , WE = CE2 = V )  
    N08T1630CxB  
    IL  
    IH  
    t
    RC  
    Address  
    t
    AA  
    t
    OH  
    Previous Data Valid  
    Data Valid  
    Data Out  
    Timing Waveform of Read Cycle (WE=V )  
    IH  
    t
    RC  
    Address  
    t
    AA  
    t
    HZ  
    CE1  
    CE2  
    t
    CO  
    t
    LZ  
    t
    OHZ  
    t
    OE  
    OE  
    t
    OLZ  
    t
    t
    LB, UB  
    LB, UB  
    t
    t
    t
    BHZ  
    LBLZ, UBLZ  
    High-Z  
    Data Valid  
    Data Out  
    (DOC# 14-02-004 REV H ECN# 01-1102)  
    The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
    5

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