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N08L163WC1C 参数 Datasheet PDF下载

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型号: N08L163WC1C
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内容描述: 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 224 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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N08L163WC1C
NanoAmp Solutions, Inc.
Data Retention Characteristics
Parameter
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
Description
Vcc for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Vcc = 1.5V, CE
Vcc - 0.2V,
VIN
Vcc - 0.2V or VIN
0.2V
-L
0
t
RC
Condition
Min
1.5
10
4
Typ
Max
Unit
V
µA
ns
ns
Advance Information
Data Retention Waveform
Data Retention Mode
Vcc
Vcc(min)
t
CDR
CE or
LB/UB
VDR
1.5V
Vcc(min)
t
R
Note: Full device operation requires linear Vcc ramp from VDR to Vcc(min) > 100 µs
Stock No. 23394-B 01/05
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.
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