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    N04L163WC1AT-70I 参数 Datasheet PDF下载

    N04L163WC1AT-70I图片预览
    型号： N04L163WC1AT-70I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 265 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第10页浏览型号N04L163WC1AT-70I的Datasheet PDF文件第11页  
    NanoAmp Solutions, Inc.
    Timing of Read Cycle (CE = OE = V
    IL
    , WE = V
    IH
    )
    t
    RC
    Address
    t
    AA
    t
    OH
    N04L163WC1A
    Data Out
    Previous Data Valid
    Data Valid
    Timing Waveform of Read Cycle (WE= V
    IH
    )
    t
    RC
    Address
    t
    AA
    t
    CO
    t
    HZ
    CE
    t
    LZ
    t
    OE
    t
    OHZ
    OE
    t
    OLZ
    t
    LB,
    t
    UB
    LB, UB
    t
    LBLZ,
    t
    UBLZ
    Data Out
    High-Z
    t
    LBHZ,
    t
    UBHZ
    Data Valid
    (DOC# 14-02-018 REV I ECN# 01-1001)
    The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.
    7

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