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N02L083WC2AN2 参数 Datasheet PDF下载

N02L083WC2AN2图片预览
型号: N02L083WC2AN2
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内容描述: 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 256K ×8位 [2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K x 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 223 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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NanoAmp Solutions, Inc.
Timing Waveform of Write Cycle (WE control)
t
WC
Address
t
AW
CE1
t
CW
CE2
t
AS
WE
t
DW
High-Z
Data In
t
WHZ
Data Out
t
WP
N02L083WC2A
t
WR
t
DH
Data Valid
t
OW
High-Z
Timing Waveform of Write Cycle (CE1 Control)
t
WC
Address
t
AW
CE1
(for CE2 Control, use
inverted signal)
t
AS
t
CW
t
WR
t
WP
WE
t
DW
Data In
t
LZ
Data Out
t
WHZ
t
DH
Data Valid
High-Z
(DOC# 14-02-015 REV E ECN# 01-0998)
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.
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