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    N02L083WC2AT2-70I 参数 Datasheet PDF下载

    N02L083WC2AT2-70I图片预览
    型号： N02L083WC2AT2-70I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32]
    分类和应用： 静态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 10 页 / 230 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N02L083WC2AT2-70I的Datasheet PDF文件第10页  
    NanoAmp Solutions, Inc.
    N02L083WC2A
    t
    RC
    Timing of Read Cycle (CE1 = OE = V
    IL
    , WE = CE2 = V
    IH
    )
    Address
    t
    AA
    t
    OH
    Data Out
    Previous Data Valid
    Data Valid
    Timing Waveform of Read Cycle (WE=V
    IH
    )
    t
    RC
    Address
    t
    AA
    t
    HZ
    CE1
    t
    CO
    CE2
    t
    LZ
    t
    OE
    OE
    t
    OLZ
    Data Out
    High-Z
    Data Valid
    t
    OHZ
    (DOC# 14-02-015 REV F ECN# 01-1284)
    The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.
    6

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