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N01L1618N1AT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: N01L1618N1AT
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内容描述: 1MB超低功耗异步SRAM CMOS [1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 223 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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NanoAmp Solutions, Inc.
Timing Waveform of Write Cycle (WE control)
t
WC
Address
t
AW
t
CW
CE
t
LBW
, t
UBW
LB, UB
t
AS
WE
t
DW
High-Z
Data In
t
WHZ
Data Out
t
WP
N01L1618N1A
t
WR
t
DH
Data Valid
t
OW
High-Z
Timing Waveform of Write Cycle (CE Control)
t
WC
Address
t
AW
CE
t
AS
t
LBW
, t
UBW
UB, LB
t
WP
WE
t
DW
Data In
t
LZ
Data Out
t
WHZ
t
DH
t
CW
t
WR
Data Valid
High-Z
(DOC# 14-02-009 REV F ECN# 01-0995)
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.
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