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MSK4301U 参数 Datasheet PDF下载

MSK4301U图片预览
型号: MSK4301U
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内容描述: 29 AMP , 75V ,3相MOSFET采用智能集成型门驱动桥 [29 AMP, 75V, 3 PHASE MOSFET BRIDGE WITH INTELLIGENT INTEGRATED GATE DRIVE]
分类和应用: 栅极驱动
文件页数/大小: 5 页 / 231 K
品牌: MSK [ M.S. KENNEDY CORPORATION ]
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绝对最大额定值
彩信
A组
4
小组
1,2,3
1,2,3
1
1
-
-
MSK4301H/E
3
分钟。
-
-
5.75
6.2
-
2.7
60
-1
70
-
-
-
典型值。
2.5
20
6.6
7.1
-
-
100
-
-
-
-
-
马克斯。
8
25
7.5
8.0
0.8
-
135
+1
-
25
0.020
0.013
MSK4301
2
分钟。
-
-
5.75
6.2
-
2.7
60
-1
70
-
-
-
典型值。
2.5
20
6.6
7.1
-
-
100
-
-
-
-
-
马克斯。
8
25
7.5
8.0
0.8
-
135
+1
-
25
0.020
0.013
单位
参数
控制部分
V
BIAS
静态电流
V
BIAS
工作电流
欠压阈值(下降)
欠压阈值(瑞星)
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高电平输入电流
输出桥
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
开关特性
上升时间
下降时间
1
1
1
1
1
1
1
1
1
测试条件
所有输入关闭
F =为20KHz,占空比为50%
V
IN
=0V
V
IN
=5V
I
D
= 25μA ,所有输入关闭
V
DS
=70V
I
D
=29A
-
-
-
-
1
-
漏源导通电阻(每个FET )
(每个场效应管,热仅计算)
V + = 28V ,R
L
=1Ω
I
D
=29A
SWR电阻=
SWR电阻=
SWR电阻=
SWR电阻=
SWR =
SWR=12K
1
1
I
SD
=29A
I
SD
= 29A ,的di / dt = 100A /μs的
-
-
4
4
4
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.3
-
-
120
81
0.5
5
5
0.5
5.0
1.0
1.05
120
-
-
2
8
8
2
7.0
1.2
1.30
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.3
-
-
120
81
0.5
5
5
0.5
5.0
1.0
1.05
120
-
-
3
10
10
3
7.0
1.2
1.30
-
导通传播延迟(下)
关断传播延迟(下)
导通传播延迟(上)
关断传播延迟(上)
死区时间
死区时间
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压
反向恢复时间
注意事项:
1
2
3
4
5
通过设计保证,但未经测试。典型的参数是代表实际设备
性能,但仅供参考。
除非另有说明,工业级和"E"后缀装置应进行试验,以分组1和4 。
军用级设备( "H"后缀)必须经过100%测试,以群1 , 2 , 3和4 。
亚组5和6的测试可根据要求提供。
小组1,4牛逼
A
= T
C
= +25°C
2, 5 T
A
= T
C
= +125°C
3, 6 T
A
= T
C
= -55°C
2
Rev. D的4/01
电气规格
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
V+
V
BIAS
V
IND
I
OUT
I
PK
高电压源
75V
偏置电源
16V
逻辑输入电压
-0.3V到V
BIAS
+0.3V
连续输出电流
29A
峰值输出电流
41A
θ
JC
热阻
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
(10秒)
T
C
情况下的工作温度
(4301H/E)
(4301)
T
J
结温
1°C/W
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
MAMP
MAMP
微安
微安
V
微安
纳秒
纳秒
微秒
微秒
微秒
微秒
微秒
微秒
纳秒