应用笔记
MSK 4300引脚说明
AL，BL ，CL
- 是低压侧逻辑电平数字输入。这些
三个输入控制三个低侧桥晶体管。如果
高边输入为低电平，则低边输入将控制
两个低压侧和所述桥的高侧，与死区时间
由SWR电阻设置。 EN将覆盖这些投入，迫使
所有输出低电平。这些输入可以通过逻辑高达15V驱动
（小于VBIAS ） 。内部上拉至VBIAS将举行各
投入高，如果引脚不被驱动。
AH，BH ，CH
- 是高边逻辑电平数字输入。这些
三个输入控制三个高侧桥晶体管。非
少死区时间通过连接SWR地禁用，
每个阶段的低边输入将覆盖相应的
高边输入。如果SWR是每个阶段的低边输入会
覆盖相应桥臂的输入。在这种条件下，
绑在地上，死区时间被禁用，并且输出跟随
输入。在这种情况下，直通必须避免克斯特
应受。 EN将覆盖所有的输入，迫使低产出。
VBIAS
- 是正电源的栅极驱动。该引脚应
去耦至地至少10μF电容。
地
- 是的回报， VBIAS供应。该引脚应
连接到低压侧的MOSFET或返回
感测电阻器的电桥的底部的底部。该
栅极驱动电流必须返回通过该引脚，所以走线长度
应保持在最低限度。所有的理由应该返回
在星形的方式连接桥或感测电阻器的底部。
这将消除接地环路。
SWR
- 是对销，用于控制的顶部之间的死区时间
和底部的桥的晶体管。通过连接一个上拉
该引脚与VBIAS之间的电阻，各种deadtimes可
获得。有和内部100kΩ上拉电阻连接
在内部。通过在平行的添加额外的电阻器从外部，
减压deadtimes可以实现。通过此引脚连接到
地面上，所有的死区时间被消除。然而，必须小心
以确保死区时间是由所述逻辑电路产生
驱动器的输入。直通可能发生（顶部和
底部晶体管上同时对于给定的相位， caus-
荷兰国际集团短的V +电源接地）摧毁的桥梁。
V+
- 是电源连接，输出桥顶。
该引脚必须通过一个电容旁路到了地面以上
每路输出电流最小为10μF放大器，以及高品质高
高频旁路电容，以帮助抑制开关噪声。
AO ，BO ，CO
- 是输出引脚的三个阶段的
电力桥梁。
EN
- 是否使能输入的桥梁。这数字输入，
当拉到低电平，可使桥，以下输入
从AL，BL ，CL和AH，BH ，CH输入。当拉高，这
将覆盖所有其它输入和禁用的桥梁。这是间
应受拉高至VBIAS ，并且可以通过逻辑电平向上驱动
到VBIAS 。
RSENSE
- 是否连接到桥的底部。所有
电源流经桥将流过这一点，
并且可以通过连接一个检测电阻器从这里被检测
地面上。检流电阻将产生一个电压成正比
向流动的电流。大小的值和额定功率
根据所需的电压检测电阻器。 3伏
这点与地之间，或损坏之间的最大电压
年龄到混合将导致。
3
BUS电压滤波电容
的大小和电容器放置在主电压
总线用于电机将会对噪声滤波的吞吐量的效果
从系统的其余部分。 RLC串联调谐电路正在
通过导线的电感产生（大约每英寸30nH间变化） ，
滤波电容，并且所有的电阻（电阻丝
和整体的功率电路的电容器的ESR ） 。电压
从反电动势如果电机乘坐公共汽车的顶部尖峰
电压。所有这一切都必须铺设时需要考虑
该系统。高品质，低ESR的第一电容器
尽可能地靠近到混合电路成为可能。随着
即，5倍的一个电容，以10倍的第一个值应该被加到
（以及第二电容器应该具有一些ESR）和/或一个
电阻应该被添加到帮助与电压的阻尼
年龄峰值。要小心在所有电容器的纹波电流。
过多的纹波电流，超出了电容的额定
对，会破坏电容。
BIAS电源旁路电容器
所以建议至少10μF电容为逐
路过VBIAS电压供给驱动电路
MSK的4300 ，以及0.1pF的帮助的高频
所需的栅极驱动器的电流脉冲。如果一个非常长的
上升时间是由导通FET的，额外的高显示
高频电容会有所帮助。
总图
良好的高频PC布局技术是必须的。痕迹
够宽的电流传送，而大的放置
靠近的MSK 4300电容器是很重要的。该
路径通过任何检测电阻RSENSE的连接
返回到GND引脚必须是尽可能地短。这条道路是
栅极驱动电流路径的所有的FET上的下半
每个阶段。一条短而低电感的路径将在辅助开关
荷兰国际集团的FET的时间。
IN
低功耗启动
当启动时利用MSK 4300用于第一电路
时间，这是非常重要的，以保持某些事情的初衷。如下─
桥的尺寸小的原因，没有内部短路
电路保护和短路会破坏桥梁。
任何需要的短路保护外，必须在建立
桥梁。电流和电压限制饲养电源
V +引脚的桥梁，并监视当前的任何迹象
短路或击穿电流。如果有大
电流尖峰在每个开关周期的开始，那里
可射穿。尝试提高的电阻值
SWR 。这将延长死区时间和停止直通。
版本C 6/00
MSK [ M.S. KENNEDY CORPORATION ]
