绝对最大额定值
V +高压电源
V
IN
当前的命令输入
+ Vcc的
-VCC
I
OUT
连续输出电流
I
PK
峰值输出电流
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○
○
○
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○
○
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○
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○
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○
○
○
○
○
○
○
○
○
-55 ° C至+ 125°C
+150°C
○
○
○
○
○
○
电气规格
所有评分：TC = + 25 ° C除非另有说明
参数
电源要求
+ Vcc的
-VCC
PWM
自由运行频率
控制
跨
电流监视器7
输出失调
霍尔输入
低电平输入电压1
高电平输入电压1
误差放大器
输入电压范围1
压摆率
1
1
1
输出电压摆幅
增益带宽积
产量
上升时间1
下降时间
1
@ 64V ， + 150 ° C的结
@ 10安培
泄漏电流1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
-
-
-
-
-
280
2
-
-
750
0.3
0.6
0.026
2.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
-
-
-
-
-
280
2
-
-
750
0.3
0.6
0.026
2.6
-
-
纳秒
纳秒
μAMPS
伏
伏
Ω
伏
纳秒
微秒
-
-
-
-
-
±11
6.5
±12
-
175
±12
8
±13
6.5
275
-
-
-
-
-
±11
6.5
±12
-
175
±12
8
±13
6.5
275
-
-
-
-
-
伏
V /微秒
伏
兆赫
V / MV
-
-
-
3.0
-
-
0.8
-
-
3.0
-
-
0.8
-
伏
伏
7
±8 A输出电流
±8 A输出电流
@ 0伏特命令
4,5,6
4,5,6
4
5,6
1.9
0.45
-
-
2
0.5
±5.0
-
2.1
0.55
±25.0
±50.0
1.8
0.45
-
-
2
0.5
±5.0
-
2.2
0.55
±35.0
-
安培/伏特
V /放大器
MAMP
MAMP
4,5,6
23.5
25
26.5
22
25
28
千赫
@ +15V
@ -15V
1,2,3
1,2,3
-
-
60
16
85
35
-
-
60
16
85
35
mA
mA
测试条件
A组
小组
MSK 4363H
分钟。
典型值。
3
马克斯。
分钟。
MSK 4363
典型值。
2
马克斯。
4 5
大信号电压增益1
跨天桥上的电压降（ 1上1下） 1
漏源导通电阻（每个MOSFET ） 6
二极管VSD 1
TRR 1
死区时间1
跨桥（ 1上1下） 1 @ 10安培， + 150°C结压降
@ 10安培， 150 ° C的结
@ 10安培，每个场效应管
IF = 10安培数的di / dt = 100A /μs的
注意事项：
1
2
3
4
5
6
7
通过设计保证，但未经测试。典型的参数是代表实际设备
性能，但仅供参考。
除非另有说明，工业级器件，应测试子组1和4 。
军用级设备（ "H"后缀）必须经过100％测试，以群1 ， 2 ， 3和4 。
亚组5和6的测试可根据要求提供。
小组1,4牛逼
A
= T
C
= +25°C
2, 5 T
A
= T
C
= +125°C
3, 6 T
A
= T
C
= -55°C
这是仅用于MOSFET的热工计算。
测量不包括偏置电流为0V当前命令。
2
启摹
8/01
○
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○
75V
±13.5V
+16V
-18V
10A
20A
○
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○
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○
○
○
○
θ
JC
热阻
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
（10秒）
T
C
情况下的工作温度
T
J
结温
3.1°C/W
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
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○
单位
MSK [ M.S. KENNEDY CORPORATION ]
