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MSK3004 参数 Datasheet PDF下载

MSK3004图片预览
型号: MSK3004
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内容描述: H桥MOSFET功率模块 [H-BRIDGE MOSFET POWER MODULE]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 283 K
品牌: MSK [ M.S. KENNEDY CORPORATION ]
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绝对最大额定值
R
TH- JC
电气规格
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
测试条件
4
V
GS
=0 I
D
= 0.25毫安(所有晶体管)
V
DS
=55V V
GS
= 0V ( Q1 , Q4 )
V
DS
=-55V V
GS
= 0V ( Q2,Q3 )
V
GS
=±20V V
DS
= 0(所有的晶体管)
V
DS
=V
GS
I
D
= 250μA ( Q1 , Q4 )
V
DS
=V
GS
I
D
= 250μA ( Q2,Q3 )
MSK3004
分钟。
55
-
-
-
2.0
-2.0
-
-
-
-
4.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
34
19
27
370
140
65
-
-
-
13
55
23
37
350
170
92
1.3
-1.6
56
47
0.12
0.084
马克斯。
-
25
-25
±100
4.5
-4.5
0.15
0.28
0.07
0.175
-
-
20
5.3
7.6
-
-
-
-
-
-
-
19
5.1
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
83
71
0.18
0.13
单位
V
µA
µA
nA
V
V
S
S
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
V
V
nS
nS
µC
µC
漏极 - 源极导通电阻2
V
GS
= 10V我
D
= 10A ( Q1 , Q4 )
V
GS
= -10V我
D
= -7.2A ( Q2,Q3 )
漏极 - 源极导通电阻3
1
V
GS
= 10V我
D
= 10A ( Q1 , Q4 )
V
GS
= 10V我
D
= -7.2A ( Q2,Q3 )
正向跨导
N沟道( Q1 , Q4 )
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1
1
1
V
DS
= 25V我
D
= 10A ( Q1 , Q4 )
V
DS
= -25V我
D
= -7.2A ( Q2,Q3 )
I
D
=10A
V
DS
=44V
V
GS
=10V
V
DD
=28V
I
D
=10A
1
R
G
=24Ω
R
D
=2.6Ω
导通延迟时间1
上升时间
1
1
1
1
1
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1MHz
反向传输电容
P- CHANNEL ( Q2 , Q3 )
总栅极电荷
1
I
D
=-7.2A
V
DS
=-44V
V
GS
=-10V
V
DD
=-28V
I
D
=-7.2A
1
R
G
=24Ω
R
D
=3.7Ω
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷1
导通延迟时间1
上升时间
1
打开-O FF延迟时间
下降时间
1
1
输入电容
输出电容
V
GS
=0V
1
V
DS
=-25V
f=1MHz
反向传输电容1
体二极管
正向电压上
1
I
S
= 10A V
GS
= 0V ( Q1 , Q4 )
I
S
= -7.2A V
GS
= 0V ( Q2,Q3 )
反向恢复时间
1
I
S
= 10A的di / dt = 100A /μs的( Q1 , Q4 )
I
S
= -7.2A的di / dt = 100A /μs的( Q2 , Q3 )
反向恢复电荷
1
I
S
= 10A的di / dt = 100A /μs的( Q1 , Q4 )
I
S
= -7.2A的di / dt = 100A /μs的( Q2 , Q3 )
注意事项:
1
2
3
4
此参数由设计保证,但不需要进行测试。典型的参数是代表实际器件性能,但是仅用于参考。
阻力见于封装引脚。
电阻只能等死;用于热计算。
T
A
= 25°C除非另有规定。
2
启摹10/04
71mJ
96mJ
V
DSS
漏源极电压
V
DGDR
漏极至栅极电压
(RGS=1MΩ)
V
GS
栅极至源极电压
(连续)
连续电流
I
D
脉冲电流
I
DM
单脉冲雪崩能量
(Q1,Q4)
(Q2,Q3)
55V MAX
55V MAX
T
J
T
ST
T
C
T
LD
± 20V MAX
10A最大
25A MAX
+ 175 ° C(最大值)
JunctionTemperature
-55 ° C至+ 150°C
储存温度
案例工作温度范围-55 ° C至+ 125°C
铅温度范围
300 ° C(最大值)
(10秒)
热阻(结到管壳)
9.7°C/W
P沟道@ 25°C
14.5°C/W
P沟道@ 125°C
9.7°C/W
N沟道@ 25°C
14.5°C/W
N沟道@ 125°C