硅双极MMIC放大器级联
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
80毫安
2,3
功耗
750毫瓦
RF输入功率
+20 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
jc
= 175 ° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.外壳温度（Tc） = 25
°C.
3.减免为6.7毫瓦/ ℃，锝> 69 ℃。
MP4TD0835 ， MP4TD0836
典型偏置配置
RBIAS
VCC > 10 V
VCC - Vd的
RBIAS
ID =
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
IN
1
MP4TD0835
MP4TD0836
C（ DC挡）
3
OUT
VD = 7.8 V
2
典型性能曲线@编号= 36 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
40
ID，设备电流（mA）
35
回波损耗（分贝）
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
V D， D E V IC è V Ø L T A G E（ V）
0
-2
-4
-6
-8
回波损耗与频率
输入
-1 0
-1 2
-1 4
-1 6
-1 8
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
Ø本安输出
功率增益VS电流
35
30
25
增益（dB ）
20
15
10
5
0
10
20
30
ID ， D E V IC权证ü R R简T（米A）
40
50
1.0摹ħ ž
2 0.0摹ħ ž
3 0.0摹ħ ž
0 。1G ħ ž
18
16
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
14
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
ID = 4 0为m的
ID = 3 6μm的
12
10
8
6
4
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
2
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
