硅双极MMIC放大器级联
MP4TD0900
典型偏置配置
RBIAS
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
80毫安
2,3
功耗
750毫瓦
RF输入功率
+20 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
JMS
= 70 ° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.安装面温度（ TMS ） = 25
°C.
3.减免14.3毫瓦/ ℃， TMS > 147℃
ID =
VCC - Vd的
RBIAS
VCC >10 V
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
IN
1
MP4TD0900
C（ DC挡）
3
OUT
VD = 7.8 V
2
典型性能曲线@编号= 35 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
（性能所需的45 pF的反馈电容）
器件电流VS器件电压
回波损耗与频率
60
ID，设备电流（mA）
50
40
30
20
10
0
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
输入
Ø本安输出
0
2
4
6
8
10
0.1
VD ，D EVICE VO L标签E（ V）
1
FRE Q UE ñ CY （G ^ h Z）
10
9
8
增益（dB ）
7
6
5
4
功率增益VS电流
16
F = 0.1克ħ ž
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
F = 2.0克ħ ž
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
14
12
10
8
6
4
2
0
0. 1
1
FRE Q UE ñ CY （G ^ h Z）
10
ID = 45米一
ID = 35米一
ID = 2500万
10
20
30
ID ， DE VICE CU RR鄂西北（M A）
40
50
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
2
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
